原標(biāo)題：ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節(jié)

ST（意法半導(dǎo)體）和Exagan攜手開(kāi)啟GaN（氮化鎵）發(fā)展新章節(jié)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

一、背景與意義

氮化鎵（GaN）作為一種III-V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性（如3.4 eV的能隙和1,700 cm2/Vs的電子遷移率）而備受關(guān)注。相比硅基材料（能隙1.1 eV，電子遷移率1,400 cm2/Vs），GaN具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，能夠處理更大的負(fù)載，提高能效，并降低物料清單成本。這一特性使得GaN在高功耗、高密度系統(tǒng)、大數(shù)據(jù)服務(wù)器和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力。

二、ST與Exagan的合作

1. 股權(quán)收購(gòu)：

• ST在2020年3月收購(gòu)了Exagan的多數(shù)股權(quán)，這一舉措標(biāo)志著ST對(duì)GaN技術(shù)的長(zhǎng)期承諾和投入。Exagan是一家擁有獨(dú)特外延層生長(zhǎng)技術(shù)的法國(guó)創(chuàng)新型企業(yè)，也是少數(shù)能夠在8英寸（200毫米）晶圓上大規(guī)模部署和生產(chǎn)GaN功率器件的公司之一。

2. 技術(shù)整合與產(chǎn)品開(kāi)發(fā)：

• 通過(guò)此次收購(gòu)，ST不僅獲得了Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，還增強(qiáng)了其在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN領(lǐng)域的技術(shù)積累。ST和Exagan共同推進(jìn)了GaN技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，為市場(chǎng)帶來(lái)了更高效、更可靠的功率器件解決方案。

3. 產(chǎn)品推出：

• 2020年9月，ST推出了業(yè)內(nèi)首個(gè)600V系統(tǒng)級(jí)封裝MASTERGAN1。該系列產(chǎn)品采用半橋拓?fù)浼梢粋€(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)式GaN晶體管，為設(shè)計(jì)高成本效益的筆記本電腦、手機(jī)等產(chǎn)品電源提供了新的選擇。這是市場(chǎng)上首個(gè)且唯一的集成兩個(gè)增強(qiáng)式GaN晶體管的系統(tǒng)級(jí)封裝產(chǎn)品。

三、GaN技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)

1. 優(yōu)勢(shì)：

• 高效能：GaN功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，適合高功耗、高密度系統(tǒng)的應(yīng)用需求。

• 低成本：盡管初期投資可能較高，但GaN器件的物料清單成本更低，長(zhǎng)期使用下來(lái)具有成本優(yōu)勢(shì)。

• 廣泛應(yīng)用：GaN器件在服務(wù)器、電信、工業(yè)、電動(dòng)汽車(chē)和個(gè)人電子等多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。

2. 挑戰(zhàn)：

• 設(shè)計(jì)復(fù)雜度：GaN器件的特性要求開(kāi)發(fā)人員在設(shè)計(jì)時(shí)考慮更多因素，如柵極驅(qū)動(dòng)、電壓和電流轉(zhuǎn)換速率等。

• 供應(yīng)鏈問(wèn)題：部分工業(yè)產(chǎn)品制造商可能因擔(dān)心潛在的PCB重新設(shè)計(jì)或采購(gòu)問(wèn)題而避免使用GaN。

四、未來(lái)展望

隨著ST和Exagan在GaN技術(shù)領(lǐng)域的深入合作，GaN器件的大規(guī)模應(yīng)用將加速推進(jìn)。更大的晶圓尺寸和更高的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益將進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。同時(shí)，隨著工程師對(duì)GaN技術(shù)了解和掌握程度的提高，GaN器件將在更多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，為行業(yè)帶來(lái)革命性的變化。

總之，ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節(jié)，不僅推動(dòng)了GaN技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用，也為行業(yè)帶來(lái)了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，GaN器件的未來(lái)發(fā)展前景將更加廣闊。