原標(biāo)題：三星：正在開發(fā) 8 層 TSV 的 DDR5 內(nèi)存模塊，容量達 DDR4 兩倍

三星確實在積極開發(fā)具有8層TSV（直通硅通孔）的DDR5內(nèi)存模塊，這一技術(shù)在內(nèi)存容量和性能上相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。以下是對這一技術(shù)開發(fā)的詳細解讀：

一、技術(shù)特點

• 8層TSV設(shè)計：三星的DDR5內(nèi)存模塊采用了8層TSV設(shè)計，這種設(shè)計使得內(nèi)存模塊的容量能夠達到DDR4內(nèi)存的兩倍。這意味著，在理論上，單條DDR5內(nèi)存模塊的容量可以達到非常高的水平，如512GB。

• 高度降低與散熱優(yōu)化：通過優(yōu)化封裝技術(shù)，三星的DDR5內(nèi)存模塊在高度上比傳統(tǒng)的DDR4 4層內(nèi)存更低。同時，由于管芯之間的間隙減少了40%以及采用了薄晶圓處理技術(shù)，這些內(nèi)存模塊不僅體積更緊湊，還提供了更好的散熱性能。

二、性能提升

• 性能與帶寬提升：三星預(yù)計DDR5內(nèi)存將提供比DDR4提升85%的性能，帶寬高達7.2 Gbps，這對于需要高速數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用場景（如超級計算機、人工智能和機器學(xué)習(xí)）來說，是一個巨大的優(yōu)勢。

• 電壓降低與能效提升：DDR5內(nèi)存模塊采用了更低的1.1V電壓，這有助于提高電源效率，降低整體能耗。

三、市場應(yīng)用與前景

• 企業(yè)級市場：三星表示，這款DDR5內(nèi)存模塊專為服務(wù)器和企業(yè)使用而設(shè)計，因此其售價可能會高于消費級內(nèi)存。盡管如此，它仍然有望在數(shù)據(jù)中心和高端服務(wù)器市場中得到廣泛應(yīng)用。

• 量產(chǎn)計劃與時間表：三星預(yù)計將在2023/2024年向主流市場提供DDR5內(nèi)存，而數(shù)據(jù)中心市場的產(chǎn)品將更快推出，計劃在今年（原文發(fā)布時間為2021年，因此“今年”指的是2021年或稍后的年份）年底前生產(chǎn)512GB內(nèi)存模塊。此外，三星還透露了未來推出TB容量版本的計劃。

四、技術(shù)細節(jié)

• DRAM單片顆粒：三星在該內(nèi)存產(chǎn)品上實現(xiàn)了“Same-Bank”技術(shù)，DRAM單片顆粒的高度僅為1mm，通過堆疊20片實現(xiàn)了512GB的容量。這種設(shè)計不僅提高了容量，還使得總線效率提高了約10%。

• 標(biāo)準(zhǔn)與時序：三星DDR5內(nèi)存采用標(biāo)準(zhǔn)JEDEC DDR5-7200時序，頻率最高可達7200MHz。同時，它還采用了全新的決策反饋均衡器，有助于提高信號穩(wěn)定性。

綜上所述，三星正在開發(fā)的8層TSV DDR5內(nèi)存模塊在容量、性能和能效等方面均表現(xiàn)出色，有望在未來成為數(shù)據(jù)中心和高端服務(wù)器市場的主流選擇。