ROHM開(kāi)發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”


原標(biāo)題:ROHM開(kāi)發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
ROHM(羅姆)開(kāi)發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”是一款具有顯著技術(shù)突破和性能提升的產(chǎn)品。以下是對(duì)該產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:
一、產(chǎn)品概述
ROHM推出的“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品,包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR等型號(hào),均符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101。這些產(chǎn)品專(zhuān)為處理大功率的汽車(chē)電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì),如電動(dòng)汽車(chē)(xEV)中的車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,以及太陽(yáng)能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器等。
二、技術(shù)特點(diǎn)
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管:
“RGWxx65C系列”在IGBT的反饋單元(續(xù)流二極管)中采用了ROHM的低損耗SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SiC SBD)。
與傳統(tǒng)的Si快速恢復(fù)二極管(Si-FRD)相比,SiC SBD具有更低的開(kāi)通損耗和更高的效率。
顯著降低損耗:
在車(chē)載充電器中采用“RGWxx65C系列”產(chǎn)品時(shí),與以往的IGBT產(chǎn)品相比,損耗可降低67%。
與通常損耗小于IGBT的超級(jí)結(jié)MOSFET(SJ-MOSFET)相比,損耗也可降低24%。
高效率:
新產(chǎn)品可以在更寬的工作頻率范圍內(nèi)確保97%以上的高效率。
在100kHz的工作頻率下,效率可比IGBT高3%。
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn):
新系列產(chǎn)品符合汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,確保在車(chē)載和工業(yè)設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境下也能安心使用。.
三、應(yīng)用領(lǐng)域
“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于:
車(chē)載充電器:用于電動(dòng)汽車(chē)等車(chē)輛的充電系統(tǒng),提高充電效率和降低功耗。
車(chē)載DC/DC轉(zhuǎn)換器:用于將車(chē)輛的高壓電池電能轉(zhuǎn)換為低壓電能,為車(chē)載設(shè)備供電。
太陽(yáng)能逆變器(功率調(diào)節(jié)器):用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,并調(diào)節(jié)輸出功率。
不間斷電源裝置(UPS):用于為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng),確保在電力故障時(shí)設(shè)備能夠正常運(yùn)行。
四、市場(chǎng)前景與ROHM的承諾
隨著全球?qū)p少環(huán)境負(fù)荷和實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)的不斷努力,電動(dòng)汽車(chē)等新能源汽車(chē)得到日益普及。ROHM通過(guò)推出“RGWxx65C系列”Hybrid IGBT產(chǎn)品,為新能源汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備提供了更高性?xún)r(jià)比的功率半導(dǎo)體解決方案。ROHM將繼續(xù)致力于開(kāi)發(fā)滿足各種需求的低損耗功率元器件,并提供設(shè)計(jì)工具和各種解決方案,以助力應(yīng)用系統(tǒng)的節(jié)能和小型化,為減輕環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn)。
綜上所述,ROHM開(kāi)發(fā)出的內(nèi)置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”產(chǎn)品具有顯著的技術(shù)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì),適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,并有望在未來(lái)市場(chǎng)中發(fā)揮重要作用。
責(zé)任編輯:David
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