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中微公司發(fā)布雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備Primo Twin－Star（R）
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原標題：中微公司發(fā)布雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備Primo Twin－Star（R）
中微公司發(fā)布的雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備Primo Twin-Star（R）是一款先進的半導體加工設備，以下是對該設備的詳細介紹：
一、設備概述
Primo Twin-Star（R）是中微公司基于其成熟的單臺反應器電感耦合等離子體（ICP）刻蝕技術和雙臺反應器的Primo平臺而開發(fā)的新一代刻蝕設備。該設備主要用于IC器件前道和后道制程導電/電介質膜的刻蝕應用，為電介質前道/后道制程、多晶硅刻蝕、DTI（深溝槽隔離刻蝕）和BSI刻蝕等提供了高性價比的刻蝕解決方案。
二、創(chuàng)新設計
雙反應臺腔體設計：Primo Twin-Star（R）采用了雙反應臺腔體設計，這一設計提高了設備的生產效率，使得在同一時間內可以處理更多的晶圓。
低電容耦合3D線圈設計：該設備還采用了低電容耦合3D線圈設計，這一設計優(yōu)化了等離子體的產生和分布，提高了刻蝕的均勻性和精度。
多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC）：通過采用多區(qū)溫控靜電吸盤（ESC），設備增強了對關鍵尺寸均勻性和重復性的控制，進一步提高了刻蝕質量。
三、性能特點
高性價比：與其他同類設備相比，Primo Twin-Star（R）以更小的占地面積、更低的生產成本和更高的輸出效率，提供了ICP適用的邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用。
高質量輸出：由于該設備在很多方面采取了和單臺機Primo nanova相同或相似的設計，在眾多的刻蝕應用中，Primo Twin-Star（R）顯示了和單臺反應器相同的刻蝕結果，給客戶提供了高質量、高輸出的解決方案。
廣泛適用性：該設備不僅適用于邏輯和存儲芯片的介質和導體的各種刻蝕應用，還可用于功率器件和CMOS圖像傳感器（CIS）的刻蝕應用。
四、市場應用與反饋
中微公司的Primo Twin-Star（R）刻蝕設備已收到來自國內領先客戶的訂單。目前，首臺設備已交付客戶投入生產，并表現(xiàn)出穩(wěn)定的良率。此外，公司還在進行用于不同刻蝕應用的多項評估，以進一步優(yōu)化和完善設備的性能。
綜上所述，中微公司發(fā)布的雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備Primo Twin-Star（R）憑借其創(chuàng)新的設計、優(yōu)異的性能和廣泛的市場適用性，在半導體加工領域具有廣闊的應用前景。
責任編輯：David
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