原標(biāo)題：泛林集團(tuán)推出革命性的新刻蝕技術(shù)，推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造

泛林集團(tuán)（Lam Research）作為半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，確實(shí)推出了多項(xiàng)革命性的新刻蝕技術(shù)，這些技術(shù)對(duì)于推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造具有重要意義。以下是對(duì)泛林集團(tuán)推出的新刻蝕技術(shù)的詳細(xì)歸納：

一、Vantex?介電質(zhì)刻蝕技術(shù)

1. 技術(shù)特點(diǎn)：

• 基于泛林集團(tuán)在刻蝕領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，Vantex?為目前和下一代NAND和DRAM存儲(chǔ)設(shè)備提供了更高的性能和更大的可延展性。

• 全新腔室設(shè)計(jì)能夠以更高的射頻（RF）功率刻蝕更高深寬比的器件，提升產(chǎn)能并降低成本。

• 更高的功率和射頻脈沖技術(shù)的結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛的CD（關(guān)鍵尺寸）控制，從而改進(jìn)器件功能。

• 控制了刻蝕的垂直角度，以滿足3D器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)密度要求，并在整個(gè)300mm晶圓上實(shí)現(xiàn)高良率。

2. 應(yīng)用場(chǎng)景：

• 助力芯片制造商推進(jìn)3D NAND和DRAM的技術(shù)路線圖，應(yīng)用于智能手機(jī)、顯卡和固態(tài)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)等。

二、選擇性刻蝕產(chǎn)品組合

泛林集團(tuán)還推出了三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品：Argos?、Prevos?和Selis?，這些產(chǎn)品旨在補(bǔ)充和擴(kuò)展泛林集團(tuán)的刻蝕解決方案組合。

1. Argos?：

• 提供革命性全新選擇性表面處理方式。

• 創(chuàng)新的MARS?（亞穩(wěn)態(tài)活性自由基源）可以產(chǎn)生非常溫和的自由基等離子體，這是先進(jìn)邏輯應(yīng)用中高度選擇性表面改性所必需的。

2. Prevos?：

• 采用化學(xué)蒸汽反應(yīng)器，用于極低能量下高精度的選擇性刻蝕。

• 泛林集團(tuán)開發(fā)了一種全新專有化學(xué)催化劑，專門用于要求極高選擇性的應(yīng)用，如天然氧化物突破、精密修整和凹槽。

3. Selis?：

• 通過使用低能量自由基源控制等離子體，將能量調(diào)諧提升到一個(gè)全新的水平。

• 具有極低的能量處理模式，專為選擇性必須超高的極端應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如對(duì)于形成GAA（環(huán)柵）結(jié)構(gòu)非常關(guān)鍵的SiGe選擇性刻蝕步驟。

三、Lam Cryo 3.0低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)

1. 技術(shù)特點(diǎn)：

• 經(jīng)過優(yōu)化，可解決1000層3D NAND所帶來的蝕刻挑戰(zhàn)。

• 采用了泛林集團(tuán)獨(dú)特的高功率受限等離子反應(yīng)器、工藝改進(jìn)和遠(yuǎn)低于0攝氏度的溫度，從而可以利用新的蝕刻化學(xué)成分。

• 當(dāng)與泛林集團(tuán)最新的Vantex?介電系統(tǒng)的可擴(kuò)展脈沖等離子技術(shù)相結(jié)合時(shí)，蝕刻深度和輪廓控制顯著提高。

2. 應(yīng)用場(chǎng)景：

• 滿足高性能、高密度NAND閃存的需求，推動(dòng)3D NAND向更高層數(shù)發(fā)展。

四、技術(shù)影響與意義

1. 推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新：泛林集團(tuán)的新刻蝕技術(shù)不僅提升了刻蝕的精度和效率，還推動(dòng)了半導(dǎo)體制造技術(shù)的整體創(chuàng)新。

2. 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：這些技術(shù)為下一代3D存儲(chǔ)器件的制造提供了有力支持，有助于提升存儲(chǔ)器件的性能和容量，滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)的需求。

3. 環(huán)保與可持續(xù)性：部分新技術(shù)如Lam Cryo 3.0還注重環(huán)保和可持續(xù)性，通過降低能耗和減少排放量來減少對(duì)環(huán)境的影響。

綜上所述，泛林集團(tuán)推出的新刻蝕技術(shù)在推動(dòng)下一代3D存儲(chǔ)器件的制造方面發(fā)揮了重要作用，不僅提升了技術(shù)水平和生產(chǎn)效率，還有助于促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。