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DRAM/NAND工作原理是什么?DRAM、NAND有何區(qū)別?

來源: 21ic
2020-12-17
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 73
文章創(chuàng)建人 拍明

原標(biāo)題:DRAM/NAND工作原理是什么?DRAM、NAND有何區(qū)別?

DRAM與NAND的工作原理及區(qū)別

一、DRAM的工作原理

DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種易失性存儲(chǔ)器,即斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失。它是計(jì)算機(jī)中最常見的內(nèi)存形式,用于臨時(shí)存儲(chǔ)CPU需要處理的數(shù)據(jù)和指令。

  1. 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

    • DRAM的基本存儲(chǔ)單元由一個(gè)晶體管(MOSFET)和一個(gè)電容器(Capacitor)組成,稱為1T1C結(jié)構(gòu)。

    • 電容器用于存儲(chǔ)電荷,表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)中的“1”或“0”(充電表示“1”,未充電表示“0”)。

    • 晶體管作為開關(guān),控制電容器與數(shù)據(jù)線的連接和斷開。

  2. 數(shù)據(jù)讀寫操作

    • 寫入:當(dāng)需要寫入數(shù)據(jù)時(shí),通過控制晶體管將數(shù)據(jù)線上的信號(hào)傳輸?shù)诫娙萜?,使其充電或放電,以表示?”或“0”。

    • 讀取:讀取數(shù)據(jù)時(shí),晶體管導(dǎo)通,電容器通過數(shù)據(jù)線放電,產(chǎn)生微小的電流變化。這個(gè)變化被放大后,轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)輸出。

  3. 刷新機(jī)制

    • 由于電容器的電荷會(huì)隨時(shí)間逐漸泄漏,DRAM需要定期刷新(Refresh)來補(bǔ)充電荷,防止數(shù)據(jù)丟失。

    • 刷新操作是通過周期性地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀寫操作來實(shí)現(xiàn)的,以保持?jǐn)?shù)據(jù)的穩(wěn)定性。

二、NAND的工作原理

NAND(Not AND)閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器,即斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。它廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存盤、存儲(chǔ)卡等設(shè)備中。

  1. 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

    • NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元是浮柵晶體管(Floating Gate Transistor)。

    • 浮柵被絕緣層包圍,用于存儲(chǔ)電荷。電荷的存儲(chǔ)狀態(tài)表示二進(jìn)制數(shù)據(jù)中的“1”或“0”。

  2. 數(shù)據(jù)讀寫操作

    • 寫入(編程):通過向浮柵注入電子(編程)或移除電子(擦除),改變浮柵的電荷狀態(tài),從而寫入數(shù)據(jù)。

    • 讀取:通過檢測(cè)浮柵的電荷狀態(tài),確定存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)值。

  3. 塊擦除

    • NAND閃存以塊(Block)為單位進(jìn)行擦除操作,而不是按字節(jié)擦除。

    • 擦除操作是將塊內(nèi)所有存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài)重置為相同狀態(tài)(通常為“1”)。

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三、DRAM與NAND的區(qū)別



DRAMNAND閃存
存儲(chǔ)特性易失性存儲(chǔ)器,斷電后數(shù)據(jù)丟失非易失性存儲(chǔ)器,斷電后數(shù)據(jù)不丟失
存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)1T1C結(jié)構(gòu),由晶體管和電容器組成浮柵晶體管結(jié)構(gòu)
數(shù)據(jù)讀寫方式隨機(jī)訪問,可按字節(jié)讀寫以頁為單位讀寫,以塊為單位擦除
刷新機(jī)制需要定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定無需刷新
應(yīng)用場(chǎng)景計(jì)算機(jī)主存儲(chǔ)器,用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令大容量存儲(chǔ)設(shè)備,如SSD、USB閃存盤等
性能特點(diǎn)讀寫速度快,延遲低讀寫速度相對(duì)較慢,但容量大、功耗低


總結(jié)

DRAM和NAND閃存是兩種不同類型的存儲(chǔ)器,各有其獨(dú)特的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景。DRAM以其高速讀寫能力成為計(jì)算機(jī)主存儲(chǔ)器的首選,而NAND閃存則以其大容量、低功耗和非易失性特性,在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。


責(zé)任編輯:David

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