原標(biāo)題：意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MOSFET實(shí)現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率

意法半導(dǎo)體（ST）推出的第二代SiC功率MOSFET確實(shí)實(shí)現(xiàn)了更高的轉(zhuǎn)換效率，以下是對其詳細(xì)的分析：

一、產(chǎn)品特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（RDSon）：

• 單位面積上的導(dǎo)通電阻非常低，這有助于減少功率損耗，提高整體效率。

2. 優(yōu)良的開關(guān)性能：

• 開關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化，這意味著在不同溫度下，MOSFET都能保持穩(wěn)定的開關(guān)性能。

3. 寬電壓范圍：

• 額定擊穿電壓值從650V（SCTxN65G2）到1200V（SCTxN120G2），并延伸到1700V，滿足不同應(yīng)用場景的需求。

4. 高溫工作能力：

• 工作結(jié)溫高達(dá)200°C，即使在高溫環(huán)境下也能保持優(yōu)異的性能。

二、應(yīng)用優(yōu)勢

1. 減小功率級尺寸和重量：

• 由于SiC MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，因此可以減小功率級的尺寸和重量，使設(shè)備更加緊湊。

2. 實(shí)現(xiàn)更高的功率密度：

• 更高的功率密度意味著在相同的體積內(nèi)可以容納更多的功率，從而提高設(shè)備的性能。

3. 減小功率電路無源元件的尺寸和成本：

• 由于SiC MOSFET支持更高的開關(guān)頻率，因此可以減小相關(guān)的無源元件（如電感、電容等）的尺寸和成本。

4. 實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率：

• 更低的損耗意味著更高的系統(tǒng)效率，從而節(jié)省能源并減少運(yùn)行成本。

5. 減輕熱設(shè)計(jì)限制：

• 由于SiC MOSFET具有優(yōu)異的高溫工作能力，因此可以減輕熱設(shè)計(jì)限制，消除或減少散熱器的尺寸和成本。

三、實(shí)驗(yàn)室測試與比較

ST的實(shí)驗(yàn)室測試比較了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET與硅IGBT的開關(guān)損耗。結(jié)果顯示，SiC MosFET具有更低的開關(guān)損耗，即使在高溫下也是如此。這使得轉(zhuǎn)換器或逆變器能夠在非常高的開關(guān)頻率下工作，從而進(jìn)一步減小其無源元件的尺寸。

四、應(yīng)用場景

第二代SiC功率MOSFET廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車牽引電機(jī)、充電站等汽車應(yīng)用中，以及太陽能發(fā)電機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等工業(yè)應(yīng)用中。此外，它們還適用于牽引電動(dòng)機(jī)、太陽能逆變器、工廠自動(dòng)化、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)據(jù)中心電源、工業(yè)電池充電器和不間斷電源等領(lǐng)域。

五、總結(jié)

意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MOSFET以其極低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)良的開關(guān)性能、寬電壓范圍和高溫工作能力等特點(diǎn)，為電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域提供了高效、緊湊的解決方案。通過實(shí)驗(yàn)室測試與實(shí)際應(yīng)用的驗(yàn)證，這些MOSFET確實(shí)實(shí)現(xiàn)了更高的轉(zhuǎn)換效率，為相關(guān)行業(yè)的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。