關(guān)于TRUTHMEMORY
致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司,作為中國新一代自旋磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)研發(fā)與應(yīng)用的引領(lǐng)者,深耕自旋存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域近十年,布局于底層機(jī)理、材料研究、上層電路、應(yīng)用級(jí)設(shè)計(jì)、關(guān)鍵制造工藝開發(fā),專注前沿科學(xué)技術(shù)探究的全方位研發(fā)能力,為客戶更高端、高可靠、可持續(xù)的芯片級(jí)解決方案。公司研發(fā)的新一代磁性隨機(jī)存儲(chǔ)芯片,采用電子的自旋屬性表征數(shù)據(jù)信息,相較于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器具備超快速讀寫、低功耗、耐擦寫、抗干擾能力及強(qiáng)等獨(dú)特優(yōu)勢。是下一代非易失存儲(chǔ)芯片的理想選擇,在人工智能、存算一體、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊。


為您找到相關(guān)結(jié)果
0
條
1
/1
對(duì)不起暫時(shí)無數(shù)據(jù)
每頁顯示
條
第一頁
[ 1 ]
下一頁 最后一頁