內(nèi)存芯片識(shí)別辦法

簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲(chǔ)資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片。

根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識(shí)別辦法是:

主要含義：

第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。

第2位——芯片類型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會(huì)使用不同的編號(hào)。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。

第11位——連線“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。

知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個(gè)內(nèi)存條后就非常容易計(jì)算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用16片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號(hào)第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。

注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位則計(jì)算時(shí)除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計(jì)算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗(yàn)碼。通過校驗(yàn)碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯(cuò)誤，糾正一位錯(cuò)誤。所以在實(shí)際計(jì)算容量的過程中，不計(jì)算校驗(yàn)位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實(shí)際容量按16乘。在購買時(shí)也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。

內(nèi)存芯片類型

Hynix(Hyundai)現(xiàn)代

現(xiàn)代內(nèi)存的含義：

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品

2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的冪次關(guān)系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2

8、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A

Infineon（億恒）

Infineon是德國西門子的一個(gè)分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號(hào)中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊(duì)列組織管理模式都是每個(gè)顆粒由4個(gè)Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號(hào)比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識(shí)的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識(shí)的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號(hào)最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。

-7.5——表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。

1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計(jì)算為： 128Mbits（兆數(shù)位） × 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內(nèi)存的說明

Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號(hào)列表出來。

容量備注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。

Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號(hào)后用短線符號(hào)隔開標(biāo)識(shí)內(nèi)存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計(jì)算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個(gè)編號(hào)來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計(jì)算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。

A2——內(nèi)存內(nèi)核版本號(hào)。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實(shí)例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號(hào)為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個(gè)Bank是奇數(shù)片內(nèi)存顆粒。

其容量計(jì)算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節(jié)）。

Winbond（華邦）

含義說明：

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5

1、W代表內(nèi)存顆粒是由Winbond生產(chǎn)

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM?

3、代表顆粒的版本號(hào)：常見的版本號(hào)為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

ROM，RAM，DRAM，SRAM和FLASH的區(qū)別

1、ROM（只讀內(nèi)存(Read-Only Memory)簡稱）,是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器.其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無法再將之改變或刪除.例如主板中的BIOS.

2、RAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英文：random access memory,RAM）,它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介.主要是計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存.

3、DRAM（Dynamic Random Access Memory）,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存之一,是RAM的一種.

4、SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）,是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù).

5、flash是存儲(chǔ)芯片的一種,通過特定的程序可以修改里面的數(shù)據(jù),即平時(shí)所說的“閃存”.結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能,還可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢）,使數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失.

總結(jié)：ROM一般是只讀的,一次性寫入固化,不能再次寫入.RAM是可以隨時(shí)讀出寫入的,包括了DRAM和SRAM.flash是取ROM和RAM兩者優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)介質(zhì),但是價(jià)格偏貴.