本發(fā)明公開了一種降低MOS芯片內(nèi)阻的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括硅襯底，硅襯底的正面具有形成至少一個(gè)MOS管的第一源極、第一漏極和第一柵極，硅襯底的背面形成有對(duì)應(yīng)漏極的盲孔，盲孔內(nèi)和硅襯底的背面均鋪設(shè)有一層金屬層。該封裝結(jié)構(gòu)能夠減少M(fèi)OS芯片漏極的等效電阻的阻值；且通過在MOS芯片背面形成盲孔，有利于增強(qiáng)MOS芯片的強(qiáng)度，通過在盲孔內(nèi)及MOS芯片背面形成金屬層，能夠大大提升MOS芯片的散熱效果，降低導(dǎo)通時(shí)的功耗。該封裝方法采用晶圓級(jí)先整體封裝再切割的工藝，相對(duì)于目前的傳統(tǒng)封裝工藝，整體成本大大降低