汽車的電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化趨勢(shì)將帶動(dòng)車內(nèi)半導(dǎo)體含量的大幅增長(zhǎng)。電動(dòng)汽車日漸流行，ADAS滲透率穩(wěn)步提升，用戶對(duì)舒適性及駕乘體驗(yàn)的追求日益提高，都離不開(kāi)半導(dǎo)體技術(shù)的支持。而這三方面正是英飛凌汽車半導(dǎo)體業(yè)務(wù)所關(guān)注的核心應(yīng)用。 1) 在汽車電動(dòng)化方面，核心痛點(diǎn)在于續(xù)航能力、動(dòng)力性能和充電時(shí)間。行駛里程不僅取決于電池的容量和性能，也跟整車系統(tǒng)的能源管理水平密切相關(guān)，特別是高性能的電機(jī)和電控系統(tǒng)。這其中，功率半導(dǎo)體是電控系統(tǒng)的核心，主要包括IGBT和MOSFET。 硅基IGBT技術(shù)相對(duì)比較成熟，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的重點(diǎn)在于產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性和可靠性。業(yè)界的趨勢(shì)是定制化模塊封裝以及雙面冷卻集成，以進(jìn)一步提升IGBT模塊的綜合性能。