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沉積設(shè)備
沉積設(shè)備
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本發(fā)明包括可在原子層沉積或化學(xué)氣相沉積期間利用的沉積方法和設(shè)備.在半導(dǎo)體襯底堆疊與前驅(qū)物入口之間提供加熱表面,且所述加熱表面經(jīng)配置以使得成問(wèn)題的副反應(yīng)發(fā)生在緊靠所述加熱表面處而非在緊靠所述半導(dǎo)體襯底處.所述前驅(qū)物入口可以是多個(gè)前驅(qū)物入口中的一者,且所述加熱表面可以是多個(gè)加熱表面中的一者.