閃速存儲器(Flash Memory)是一類非易失性存儲器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息；而諸如DRAM、SRAM這類易失性存儲器，當(dāng)供電電源關(guān)閉時片內(nèi)信息隨即丟失.相對傳統(tǒng)的EEPROM芯片，這種芯片可以用電氣的方法快速地擦寫.由于快擦寫存儲器不需要存儲電容器，故其集成度更高，制造成本低于DRAM.它使用方便，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點，所以快擦寫存儲器技術(shù)發(fā)展最迅速。