氮化鎵場效應(yīng)晶體管（Gallium Nitride Field-effect Transistor）是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎(chǔ)材料的場效應(yīng)晶體管。由于氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場、高的飽和速度，氮化鎵場效應(yīng)晶體管在大功率高頻能量轉(zhuǎn)換和高頻微波通訊等方面有著遠(yuǎn)大的應(yīng)用前景。氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GalliumNitrideField-effectTransistor）是一類以氮化鎵以及鋁氮化鎵為基礎(chǔ)材料的場效應(yīng)晶體管。由于氮化鎵材料具有好的散熱性能、高的擊穿電場、高的飽和速度，氮化鎵場效應(yīng)晶體管在大功率高頻能量轉(zhuǎn)換和高頻微波通訊等方面有著遠(yuǎn)大的應(yīng)用前景。目前，以氮化鎵制備出了金屬場效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。