本發(fā)明提供了一種高壓晶體管的制作方法,通過在其高壓阱上方一次形成相互分離的第一虛擬柵極,第二虛擬柵極,工作柵極,可以省略在硅襯底有源區(qū)專門形成金屬硅化物阻擋層的工藝步驟;進行離子注入形成高壓晶體管的源,漏前,需在整個硅襯底上形成圖形化光刻膠,當?shù)谝惶摂M柵極,第二虛擬柵極與工作柵極的間隙較小時,相鄰柵極之間的側(cè)壁構(gòu)成足夠厚的層,此時相鄰柵極之間可以不用覆蓋光刻膠,直接以高壓阱上相鄰的柵極及相鄰柵極之間的側(cè)墻為掩膜在該區(qū)域?qū)崿F(xiàn)自對準離子注入,簡化了形成圖形化光刻膠前制作掩膜版的工藝.基于所述制作方法,本發(fā)明還提供了一種高壓晶體管.