法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在(100)-硅(晶體取向為100)基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管(HEMTs)。此前，氮化鎵只能用于(111)-硅上，其廣泛使用的由硅制成的互補性金屬氧化半導體(CMOS)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圓上制成。這表明，新晶體管能同由(110)-硅制成的CMOS芯片兼容，科學家可據(jù)此研制出兼具CMOS芯片的計算能力和氮化鎵晶體管大功率容量的混合電子元件，以獲得更小更快、能耗更低的電子設備。相關論文發(fā)表于《應用物理學快報》(AppliedPhysicsExpress)。