DDR3L代表DDR3低電壓。符合本標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備將使用1.35伏單一電源，而與此相對(duì)比的是現(xiàn)行設(shè)備上使用的都是1.5伏電源。在新標(biāo)準(zhǔn)下，DDR3L存儲(chǔ)器設(shè)備的功能將兼容DDR3存儲(chǔ)器設(shè)備，但并非所有設(shè)備都能夠在兩種電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)互操作。 　　DDR3L標(biāo)準(zhǔn)定義了DDR3L存儲(chǔ)器設(shè)備的運(yùn)行特征。相較于DDR3設(shè)備，在同樣的性能與負(fù)載能力條件下，DDR3L設(shè)備的能耗將降低15%（相較于DDR2降低40%）。能耗的大幅降低，尤其對(duì)密集使用存儲(chǔ)器的各種系統(tǒng)將帶來(lái)多方面的顯著益處，包括供電需求、系統(tǒng)降溫要求、及潛在的封裝密度等。