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碳化硅半導體
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碳化硅半導體材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 屬W族化合物半導體。為共價鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結(jié)晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔點283U}"-，本征電阻率 [L一0.7)i}wm},禁帶寬度2.99一42.br}'。電子遷移率 3(10---9(1D}m'-I( V w )，介電常數(shù)9.72一10.32。采用艾奇遜 [Acheso耐法合成。硅過量時為n型半導體，碳過量時為p }1 半導體。