在了解溶脫剝離法（lift-off）圖形轉(zhuǎn)移之前，首先需要了解適合于溶脫剝離法的薄膜沉積技術(shù)。沉積薄膜的方法很多，包括物理與化學(xué)氣相方法、分子束外延方法、旋轉(zhuǎn)涂覆或噴涂方法以及電鍍方法。但是常用的是物理與化學(xué)氣相沉積。 　　Membrane Deposition Technique所謂物理氣相沉積（physical vapour deposition,PVD）包括熱蒸發(fā)沉積（thermal evaporation）和等離子體濺射沉積（plasma sputtering deposition）。熱蒸發(fā)沉積又可按蒸發(fā)方法不同，分為電阻蒸發(fā)沉積與電子束蒸發(fā)沉積。等離子體濺射沉積也可以根據(jù)等離子體產(chǎn)生的方法不同，分為直流濺射、射頻濺射和磁控射頻濺射?；瘜W(xué)氣相沉積（chemical vapour deposition,CVD）包括低壓型（LPCVD）、常壓型（APCVD）、等離子體增強(qiáng)型（PECVD）和金屬有機(jī)化合物型（MOCVD）。近年來一種新型薄膜沉積技術(shù)即原子層沉積（atomic layer deposition，ALD）受到廣泛關(guān)注。以上各種薄膜沉積方法的主要特點(diǎn)與區(qū)別列于表一中