本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種多端口寄存器堆存儲(chǔ)單元.本發(fā)明的存儲(chǔ)單元由8個(gè)NMOS管和2個(gè)PMOS管構(gòu)成,其中,4個(gè)NMOS管和2個(gè)PMOS管構(gòu)成耦合反相器,用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù),另外4個(gè)NMOS管為讀寫晶體管,其布局布線方式為:對(duì)應(yīng)于所述寄存器堆存儲(chǔ)單元的具有N阱,多晶硅層,有源區(qū)層,CT和M1的版圖;該寄存器堆單元具有上下對(duì)稱和左右對(duì)稱的結(jié)構(gòu);耦合反相器的6個(gè)晶體管采用2條多晶硅柵,極大地減小了由于制造偏差引起的晶體管的不對(duì)稱,增加了噪聲容限;兩個(gè)PMOS管共用漏端有源區(qū),四個(gè)NMOS管和四個(gè)寫晶體管共用源端有源區(qū),減小了通孔數(shù)目,極大地縮小了單元的面積.