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高壓雙極器件
高壓雙極器件
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針對(duì)常規(guī)雙極功率晶體管 (BPT)中存在的高頻,高電流增益和高CE擊穿電壓間的固有矛盾,本文基于Kondo提出的GAT結(jié)構(gòu),利用刻槽淀積P+多晶硅基區(qū)的新工藝,研制了一 種高頻高壓雙極性功率器件,并對(duì)該器件的基區(qū)電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)進(jìn)行了解析研究,實(shí)驗(yàn)獲得了預(yù)期的效果.