析了片上低壓降(Low Dropout)電源調(diào)節(jié)器穩(wěn)定性的極限條件,在此基礎(chǔ)上,提出了一種實(shí)用的頻率補(bǔ)償技術(shù).此技術(shù)無(wú)需額外電阻和偏置電壓,即能為系統(tǒng)產(chǎn)生零點(diǎn),實(shí)現(xiàn)系統(tǒng) 的主,次極點(diǎn)分離(pole-splitting),從而增加相位裕量,使系統(tǒng)保持穩(wěn)定.實(shí)驗(yàn)表明,采用該技術(shù)的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,實(shí)現(xiàn)容易,占用面積小,能 夠使片上LDO在負(fù)載電阻,負(fù)載電容大范圍變化的情況下保持穩(wěn)定,特別適用于片上電源管理系統(tǒng).LDO采用SMIC 0.18μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn).