本發(fā)明提出一種PECVD設(shè)備,包括:腔體,晶片托架,多個射頻電極,傳輸裝置和升降裝置.具體地,所述腔體上設(shè)有進氣口和出氣口,所述腔體設(shè)有第一傳輸口和第二傳輸口;所述晶片托架包括沿前后方向間隔布置且豎直放置的多個載板,所述晶片托架在所述反應腔內(nèi)沿豎向在上部位置和下部位置之間可移動;所述多個射頻電極設(shè)在所述反應腔的頂部且垂直于頂面放置,所述多個射頻電極沿前后方向間隔布置,且在所述晶片托架位于所述反應腔的上部位置時所述多個射頻電極分別對應地插入到相鄰載板之間.根據(jù)本發(fā)明的PECVD設(shè)備,增加設(shè)備的產(chǎn)能,而且降低設(shè)備的占地面積,降低設(shè)備加工的難度和成本,削弱射頻電極上的駐波效應,提高膜的表面質(zhì)量.