硅光芯片需要在硅基集成III-V族化合物材料，兩種材料的兼容性相對差決定了硅光晶圓良率低，已經(jīng)成為制約硅光模塊良率提升的主要瓶頸。另外，由于硅光損耗較大，長距離傳輸滿足標準損耗區(qū)間難度大，成為制約硅光模塊應用范圍拓展的主要瓶頸。目前，Intel、Luxtera應用于500m的PSM4已經(jīng)大規(guī)模出貨，并占據(jù)相當?shù)氖袌龇蓊~。但在長距離（2km及以上）良率較低的情況下，100G硅光模塊的成本優(yōu)勢不明顯，從Intel在亞馬遜、Facebook報價可以看出。而傳統(tǒng)III-V族方案100G模塊成本已經(jīng)大幅下降?？傮w來看，100G 主力產品QSFP28 CWDM4 2km傳統(tǒng)方案在性能和成本兩方面仍占據(jù)優(yōu)勢，硅光對100G沖擊有限。