本發(fā)明提出了MOSFET及制備方法,電子設(shè)備,車輛.該MOSFET包括:襯底,所述襯底是由SiC形成的;漂移層,所述漂移層設(shè)置在所述襯底上;柵槽,所述柵槽設(shè)置在所述漂移層中;柵極氧化層,所述柵極氧化層設(shè)置在所述柵槽的底面以及側(cè)壁上;柵極,所述柵極填充在所述柵槽中,所述柵極設(shè)置在所述柵極氧化層遠離所述飄移層的一側(cè);源極區(qū)以及接觸區(qū),所述源極區(qū)以及所述接觸區(qū)設(shè)置在所述漂移層的頂部,所述源極區(qū)以及所述接觸區(qū)位于所述柵槽的一側(cè),所述源極區(qū)靠近所述柵槽設(shè)置;阱區(qū),所述阱區(qū)設(shè)置在所述漂移層中,且位于所述源極區(qū)以及所述接觸區(qū)下方;以及漏極,所述漏極設(shè)置在所述襯底下方.由此,可以提高器件溝道遷移率,保護柵極氧化層.