DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號（時(shí)鐘）不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比 DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。 　　DDR3接口設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)比較困難，它采取了特有的Fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用“Write leveling”技術(shù)來控制器件內(nèi)部偏移時(shí)序等有效措施。雖然在保證設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)和信號的完整性起到一定作用，但要實(shí)現(xiàn)高頻率高帶寬的存儲系統(tǒng)還不全面，需要進(jìn)行仿真分析才能保證設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)和信號質(zhì)量的完整性。