本發(fā)明涉及一種探測器芯片,包括碲鎘汞薄膜和芯片結(jié)構,芯片結(jié)構包括pn結(jié),讀出電路和銦柱,pn結(jié)形成于碲鎘汞薄膜的背面上,讀出電路位于碲鎘汞薄膜的背面?zhèn)炔⑶彝ㄟ^銦柱與pn結(jié)連接.另外還涉及探測器芯片的制備方法,包括:將碲鎘汞薄膜固定于載體上,其中,碲鎘汞薄膜的正面朝向載體;去除碲鎘汞薄膜背面的襯底;在碲鎘汞薄膜背面上形成pn結(jié),該pn結(jié)通過銦柱連接讀出電路;去除載體.本發(fā)明提供的探測器芯片及其制備方法,通過在碲鎘汞薄膜背面成結(jié),該pn結(jié)即形成于碲鎘汞薄膜的背面高組分材料區(qū)(也即外延界面處),可以防止芯片反型,降低探測器芯片的漏電流,增強芯片響應信號,從而顯著地提高探測器的工作性能.