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氧化物半導(dǎo)體
氧化物半導(dǎo)體
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導(dǎo)電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導(dǎo)體,是p型半導(dǎo)體;電導(dǎo)率隨還原氣氛而增加稱為還原型半導(dǎo)體,是n型半導(dǎo)體;導(dǎo)電類型隨氣氛中氧分壓的大小而成p型或n型半導(dǎo)體稱為兩性半導(dǎo)體。非單晶氧化物可用純金屬高溫下直接氧化或通過低溫化學(xué)反應(yīng)(如金屬氯化物與水的復(fù)分解反應(yīng))來制備。氧化物單晶的制備有焰熔法、熔體生長法和氣相反應(yīng)生長法。 作為“新一代電子的基礎(chǔ)材料”而備受全球顯示器技術(shù)人員關(guān)注的就是氧化物半導(dǎo)體TFT。因為氧化物半導(dǎo)體TFT是驅(qū)動超高精細液晶面板、有機EL面板以及電子紙等新一代顯示器的TFT材料最佳候選之一。預(yù)計最早將在2012~2013年開始實用化,將來或許還會成為具備“柔性”和“透明”等特點的電子元件的實現(xiàn)手段