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納微半導(dǎo)體
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　氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比舊的慢速硅（Si）快20倍，并且能夠以三分之一的體積和重量，實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。納微GaNFast氮化鎵功率芯片集成了GaN器件，驅(qū)動(dòng)器以及保護(hù)和控制功能，可提供最簡(jiǎn)單，最小，最快的電源解決方案，如今更高的電源性能！

納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術(shù)登場(chǎng)
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納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）在氮化鎵功率芯片領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，其推出的GaNSense新技術(shù)以及基于此技術(shù)的GaNFast氮化鎵功率芯片，標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在高頻電力電子領(lǐng)域的又一重要突破。以下是對(duì)該技術(shù)的詳細(xì)解析：一、GaNSense新技術(shù)簡(jiǎn)介GaNSense是納微半導(dǎo)體獨(dú)有的新技術(shù)，它集成了自動(dòng)保護(hù)和無(wú)損電流感測(cè)......
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納微半導(dǎo)體查瑩杰：2023 年氮化鎵每瓦成本將低于硅，成為手機(jī)充電未來(lái)
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納微半導(dǎo)體副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理查瑩杰曾表示，到2023年，氮化鎵（GaN）每瓦成本將低于硅，成為手機(jī)充電的未來(lái)。這一預(yù)測(cè)主要基于氮化鎵在材料優(yōu)勢(shì)和物理性能上的顯著優(yōu)勢(shì)，以及隨著技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)量提升所帶來(lái)的成本下降。以下是對(duì)這一觀點(diǎn)的具體分析：氮化鎵的優(yōu)勢(shì)性能提升：氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度比硅器件快20倍，這使得氮化鎵充電器在體積和重量上能夠大幅......
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納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克，以股票代碼NVTS上市交易
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納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克，以股票代碼NVTS上市交易，這一事件在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。以下是關(guān)于此事件的詳細(xì)情況：一、上市基本信息公司名稱：納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）上市日期：美國(guó)東部時(shí)間2021年10月20日上市地點(diǎn)：納斯達(dá)克全球市場(chǎng)股票代碼：NVTS二、公司背景與業(yè)務(wù)納微半導(dǎo)體是一家在氮化鎵（GaN）功率......
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