ETCH過程中，wafer需要固定在chamber底部，早期的wafer是靠物理方法固定，即機械夾具，后來隨著制程的不斷進(jìn)步，漸漸被靜電吸盤（ESC:Electro-Static-Chuck)替代，同時ESC還作為下電極。 靜電吸盤的基本原理是異向電荷之間相互吸引，即wafer與electron之間通過不同種電荷之間的庫侖力相互吸引，使wafer穩(wěn)定在電極上。從結(jié)構(gòu)上可分為:單極型和雙極型，從靜電吸盤材料上可分為庫侖力型和迥斯熱背型。 單極型靜電吸盤,wafer從plasma中獲取電荷，電極通電產(chǎn)生異向電荷，從而產(chǎn)生吸附。