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典型漏源導通電阻
典型漏源導通電阻
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F20S60C3是日本新電元公司推出的一款工業(yè)級N溝道金屬氧化物半導體場效應管，相比于P溝道MOS管，擁有更小的導通電阻。最大漏極/源極電壓VDSS（雪崩擊穿電壓）為600.0V，最大漏極持續(xù)電流（DC）Id為20.0A，體積小巧同時適合大規(guī)模批量生產，是中大功率電源類應用的理想選擇。具有高電壓，高切換速度，低導通電阻的特點?？蓱糜谪撦d/電源開關，繼電器驅動，驅動器等應用。