3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。 固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。 對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，英特爾可能已經(jīng)在3D NAND當(dāng)中找到了解決辦法。3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種技術(shù)，它的概念其實(shí)非常簡(jiǎn)單：不同于將存儲(chǔ)芯片放置在單面，英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來(lái)，單個(gè)MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲(chǔ)空間，而單個(gè)TLC閃存芯片可增加48GB。