ROHM開發(fā)
ROHM開發(fā)
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對(duì)于功率半導(dǎo)體來說,當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí),如何兼顧短路耐受時(shí)間一直是一個(gè)挑戰(zhàn)。 此次開發(fā)的新產(chǎn)品,通過進(jìn)一步改進(jìn)ROHM獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3,改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系,與以往產(chǎn)品相比,在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%。
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