3D內(nèi)存芯片是通過3D封裝技術(shù)，將多層DRAM堆疊而成的新型內(nèi)存。3D內(nèi)存芯片能提供很高的內(nèi)存容量和內(nèi)存帶寬，其中混合內(nèi)存立方體（Hybrid Memory Cube）和高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory）是兩種新型的3D內(nèi)存技術(shù) [1] 。 其中混合內(nèi)存立方體，由美光公司提出，與CPU的數(shù)據(jù)傳輸速度將是現(xiàn)階段內(nèi)存技術(shù)的10倍以上，以便適應(yīng)高速發(fā)展的處理器和寬帶網(wǎng)絡(luò)。