“要長(zhǎng)出高質(zhì)量的碳化硅(SiC)，我們需要對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)、調(diào)試和優(yōu)化?！本w材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室教授陳秀芳帶領(lǐng)的課題組有一項(xiàng)重要任務(wù)——通過物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料。 　　“但實(shí)際的生長(zhǎng)耗時(shí)、耗料，可能也不穩(wěn)定，通過計(jì)算機(jī)模擬‘虛擬生長(zhǎng)’過程，可提前獲知溫度、生長(zhǎng)速率等信息，”陳秀芳說。這個(gè)方法就像“戰(zhàn)爭(zhēng)推演系統(tǒng)”和實(shí)打?qū)嵉貙?shí)戰(zhàn)一樣奏效。