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SiC Devices
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意法半導(dǎo)體的碳化硅器件包括STPOWERSiC MOSFET（具有650 - 1700 V電壓范圍、業(yè)界最高的200 °C額定結(jié)溫，可據(jù)此作出更有效、簡化的設(shè)計(jì)）和STPOWERSiC二極管（電壓范圍600 - 1200 V，具有負(fù)開關(guān)損耗以及比標(biāo)準(zhǔn)硅二極管低15%的前向電壓（VF））。