您現(xiàn)在的位置： 首頁 > 標簽 > 增強型氮化鎵
增強型氮化鎵
增強型氮化鎵
相關文章 : 0篇 瀏覽 : 次

??與傳統(tǒng)的Si MOSFET相同，增強型GaN器件也具有柵極、源極和漏極三個電極，屬于電壓型控制器件。通過在柵極-源極之間施加正電壓，使增強型GaN器件的漏極與源極之間感生出高濃度和高電子遷移率的二維電子氣溝道，從而實現(xiàn)器件導通。圖1給出GaN System公司的增強型GaN器件GS61004B的轉移特性與輸出特性曲線，均來自官網(wǎng)的數(shù)據(jù)手冊。