eGaN?技術(shù)
eGaN?技術(shù)
相關(guān)文章 : 0篇
瀏覽 : 次
LinkedIn EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN? FET),對比前一代的產(chǎn)品,這些晶體管的尺寸減半,而且性能顯著提升。 全球增強型氮化鎵晶體管供應(yīng)商,致力于開發(fā)創(chuàng)新的硅基功率場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 m?、100 V)及EPC2047(10 m?、200 V)晶體管,在提升產(chǎn)品性能之同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應(yīng)用于開放式伺服器架構(gòu)以實現(xiàn)48 V至負(fù)載的單級電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、USB-C及激光雷達(LiDAR)等應(yīng)用。200 V 的EPC2047的應(yīng)用例子包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應(yīng)用及太陽能微型逆變器。
推薦產(chǎn)品
列表欄目