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倒裝LED芯片
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倒裝LED芯片,包括襯底,N型氮化鎵層,發(fā)光層及P型氮化鎵層,P型氮化鎵層上形成有反射層或電流擴(kuò)展層,還包括:第一絕緣層,P型電極,N型電極,形成于P型電極或N型電極上的環(huán)形的散熱凹槽,第二絕緣層,第二絕緣層上形成有散熱孔,散熱孔在水平面上的投影位于散熱凹槽內(nèi);沉積于第二絕緣層上并與N型電極連接的N焊盤;沉積于第二絕緣層上并與P型電極連接的P焊盤;填充滿散熱孔的導(dǎo)熱柱,導(dǎo)熱柱的頂部與第二絕緣層表面平齊或露出于第二絕緣層.本實(shí)用新型在N型電極或P型電極上設(shè)置穿過第二絕緣層的導(dǎo)熱柱,可以直接將熱量向外導(dǎo)出或?qū)С鲋罰焊盤和N焊盤,不必再經(jīng)過第二絕緣層,使芯片散熱速度更快,散熱效果更好.