東芯半導(dǎo)體Parallel NAND Flash 兼容傳統(tǒng)的并行接口標準，適合大數(shù)據(jù)的讀寫，工藝制程24nm即將實現(xiàn)量產(chǎn)。 在NAND Flash領(lǐng)域，24nm是目前國內(nèi)領(lǐng)先的工藝制程，東芯半導(dǎo)體在國內(nèi)領(lǐng)先的24nm的工藝制程上也有突破，也即將實現(xiàn)量產(chǎn)。因此，東芯的24nm Parallel NAND Flash在訪問速率及功耗都更具優(yōu)勢，關(guān)鍵技術(shù)且都具有自主專利。