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ESD抑制器有哪些常見的失效模式

來源:
2024-12-19
類別:基礎(chǔ)知識
eye 18
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ESD(靜電放電)抑制器在保護(hù)電子系統(tǒng)免受靜電損害方面起著關(guān)鍵作用,然而,它們也可能因各種原因而失效。以下是ESD抑制器常見的失效模式:

一、突發(fā)性完全失效

  1. 熱失效

    • 當(dāng)ESD發(fā)生時,局部產(chǎn)生的大電流會在短時間內(nèi)產(chǎn)生大量熱量,可能導(dǎo)致金屬互連線熔化、芯片出現(xiàn)熱斑或二次擊穿。

    • 典型表現(xiàn)為開路、短路以及電參數(shù)嚴(yán)重漂移。

  2. 電失效

    • 施加在柵氧化層上的電壓形成的電場強度可能大于其介電強度,導(dǎo)致介質(zhì)擊穿或表面擊穿。

    • 表現(xiàn)為器件性能突然劣化,失去規(guī)定功能。

二、潛在性緩慢失效

  1. 時間依賴性失效

    • 在多次靜電放電脈沖的作用下,元器件內(nèi)部可能逐漸積累損傷,導(dǎo)致電參數(shù)逐漸劣化。

    • 表現(xiàn)為器件的使用壽命縮短,或者原本不會使器件損傷的小脈沖卻導(dǎo)致器件失效。

  2. 局部損傷

    • 介質(zhì)的局部損傷,如柵氧化層的局部擊穿,可能伴隨漏電流增加、閾值電壓漂移和功率容量下降等。

    • 這些變化在外觀上可能無法看出,但會影響器件的性能和可靠性。

三、翻轉(zhuǎn)失效

  1. 邏輯電路翻轉(zhuǎn)

    • 某些邏輯電路在正常運行中可能因靜電放電的電磁輻射而導(dǎo)致原來記憶狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)。

    • 表現(xiàn)為信息的丟失或功能暫時變化,沒有明顯的硬損傷發(fā)生。

  2. 電磁干擾

    • ESD干擾可通過傳導(dǎo)或輻射等耦合路徑進(jìn)入電子設(shè)備中,導(dǎo)致通信系統(tǒng)故障、畫面顯示異常、系統(tǒng)復(fù)位、時鐘信號抖動等現(xiàn)象。

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四、其他失效模式

  1. 封裝損傷

    • ESD抑制器的封裝在遭受靜電放電時可能受到損傷,導(dǎo)致內(nèi)部電路短路或開路。

  2. 連接問題

    • ESD抑制器與電路板之間的連接可能因焊接不良、接觸不良等原因而失效。

五、總結(jié)與預(yù)防措施

  1. 總結(jié)

    • ESD抑制器的失效模式包括突發(fā)性完全失效、潛在性緩慢失效、翻轉(zhuǎn)失效以及其他失效模式。這些失效模式可能導(dǎo)致器件性能下降、壽命縮短甚至完全失效。

  2. 預(yù)防措施

    • 選擇合適的ESD抑制器型號和規(guī)格,確保其能夠承受預(yù)期的靜電放電水平。

    • 在設(shè)計和制造過程中加強靜電防護(hù)措施,如使用防靜電工作服、手腕帶、導(dǎo)電鞋和地墊等。

    • 對ESD抑制器進(jìn)行定期檢測和測試,及時發(fā)現(xiàn)并處理潛在的失效問題。

綜上所述,了解并預(yù)防ESD抑制器的失效模式對于確保電子系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。


責(zé)任編輯:Pan

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標(biāo)簽: ESD抑制器

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