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意法半導(dǎo)體MJE3055TNPN功率晶體管中文資料

來(lái)源:
2024-07-05
類別:基礎(chǔ)知識(shí)
eye 3
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

意法半導(dǎo)體 MJE3055T NPN 功率晶體管中文資料

型號(hào)類型

MJE3055T 是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一種NPN型功率晶體管。它是中功率、高電流和高壓的代表產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。NPN型晶體管是指其內(nèi)部結(jié)構(gòu)中具有一個(gè)P型半導(dǎo)體層夾在兩個(gè)N型半導(dǎo)體層之間,其符號(hào)為射極(E)、基極(B)和集電極(C)。這種晶體管以其較高的電流處理能力和較好的熱穩(wěn)定性而著稱。

MJE3055T圖片

廠商名稱:ST意法半導(dǎo)體

元件分類:三極管

中文描述: 晶體管,NPN,最大直流集電極電流10 A,TO-220封裝,2 MHz,3引腳

英文描述: Trans GP BJT NPN 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

數(shù)據(jù)手冊(cè):http://syqqgy.com/data/k02-36635853-MJE3055T.html

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MJE3055T中文參數(shù)

晶體管類型NPN最大發(fā)射極-基極電壓5 V
最大直流集電極電流0.416666667最大工作頻率2 MHz
最大集電極-發(fā)射極電壓60 V引腳數(shù)目3
封裝類型TO-220每片芯片元件數(shù)目1
安裝類型通孔最大集電極-發(fā)射極飽和電壓8 V
最大功率耗散75 W尺寸9.15 x 10.4 x 4.6mm
晶體管配置最高工作溫度+150 °C
最大集電極-基極電壓70 V

MJE3055T概述

MJE3055T是60V硅外延基NPN功率晶體管,用于功率開關(guān)電路和通用放大器??焖俚拈_關(guān)時(shí)間和非常低的飽和電壓可減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。

與MJE2955T互補(bǔ)

良好控制的hFE參數(shù)可提高可靠性

應(yīng)用

工業(yè)

MJE3055T引腳圖

image.png

型號(hào)命名規(guī)則

意法半導(dǎo)體的型號(hào)命名規(guī)則通常遵循以下原則:

  1. 前綴:表明生產(chǎn)廠家和晶體管類型。例如,"M"表示生產(chǎn)廠家STMicroelectronics,"J"表示為結(jié)型晶體管(Junction Transistor),"E"表示其適用于中功率應(yīng)用。

  2. 數(shù)字:代表產(chǎn)品的具體系列號(hào)和性能參數(shù)。數(shù)字“3055”表示這一系列的具體產(chǎn)品型號(hào)。

  3. 后綴:表示封裝類型和特定應(yīng)用。"T"通常表示TO-220封裝。

MJE3055T 具體來(lái)說(shuō),表示該晶體管屬于MJE系列,具有特定的中功率、高電流處理能力,且封裝為TO-220。

工作原理

NPN型晶體管由三個(gè)區(qū)域組成:發(fā)射極(E)、基極(B)和集電極(C)。工作原理如下:

  1. 基極注入電流:當(dāng)基極(B)接收到一個(gè)小電流時(shí),這個(gè)電流在發(fā)射極-基極結(jié)上產(chǎn)生一個(gè)電壓降,使得發(fā)射極區(qū)的電子能穿越基極區(qū)進(jìn)入集電極區(qū)。

  2. 電子流動(dòng):這些電子進(jìn)入集電極后,通過(guò)外部電路流向集電極(C),形成一個(gè)較大的電流?;鶚O電流(IB)控制著從發(fā)射極到集電極的主電流(IC)。

  3. 電流放大作用:由于基極電流相對(duì)于集電極電流較小,晶體管具有電流放大作用,其放大倍數(shù)稱為電流放大系數(shù)(β)。

MJE3055T 在實(shí)際工作中,通過(guò)調(diào)節(jié)基極電流,可以精確控制集電極電流,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的控制。這一特性使得MJE3055T在開關(guān)電源、音頻放大器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中非常有效。

特點(diǎn)

MJE3055T 具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn):

  1. 高電流處理能力:其最大集電極電流(IC)可以達(dá)到10A,適合處理大電流負(fù)載。

  2. 高耐壓性:集電極-發(fā)射極最大電壓(Vceo)為60V,能在較高電壓下穩(wěn)定工作。

  3. 良好的熱穩(wěn)定性:由于采用TO-220封裝,具有較好的散熱性能,使其在高功率應(yīng)用中能夠保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。

  4. 較高的功率處理能力:最大功耗(Ptot)可達(dá)75W,適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)合。

  5. 快速開關(guān)速度:其開關(guān)速度較快,適合高頻開關(guān)電路。

應(yīng)用

MJE3055T 作為一種中功率NPN型晶體管,廣泛應(yīng)用于各類電子電路中,主要包括以下幾個(gè)方面:

  1. 開關(guān)電源:在開關(guān)電源電路中,MJE3055T可用于控制電流的通斷,提供穩(wěn)定的電源輸出。

  2. 音頻放大器:作為輸出級(jí)的功率放大器,用于提高音頻信號(hào)的功率。

  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī),控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速。

  4. 逆變器電路:在逆變器電路中,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

  5. 其他大功率開關(guān)電路:如電池充電器、穩(wěn)壓電源等。

參數(shù)

MJE3055T的主要電氣參數(shù)如下:

  1. 最大集電極電流(IC):10A

  2. 最大集電極-基極電壓(VCBO):70V

  3. 最大集電極-發(fā)射極電壓(VCEO):60V

  4. 最大發(fā)射極-基極電壓(VEBO):5V

  5. 最大功耗(Ptot):75W

  6. 電流增益(hFE):20至70(IC=4A,VCE=4V時(shí))

  7. 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)):2V(IC=4A,IB=400mA時(shí))

  8. 基極-發(fā)射極電壓(VBE(on)):1.5V(IC=4A,VCE=4V時(shí))

  9. 工作溫度范圍:-65°C至+150°C

這些參數(shù)表明了MJE3055T在電氣性能上的優(yōu)越性,使其能夠在各種嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境中穩(wěn)定工作。

物理特性

  1. 封裝形式:TO-220,金屬封裝,具有良好的散熱性能。

  2. 引腳配置

    • 引腳1:基極(B)

    • 引腳2:集電極(C)

    • 引腳3:發(fā)射極(E)

TO-220封裝使得MJE3055T不僅能有效散熱,還能方便地安裝在散熱器上,從而提升其功率處理能力和可靠性。

總結(jié)

意法半導(dǎo)體的MJE3055T是一款高性能的NPN型功率晶體管,憑借其高電流、高耐壓、良好的熱穩(wěn)定性以及廣泛的應(yīng)用范圍,在電子電路設(shè)計(jì)中占據(jù)了重要地位。通過(guò)了解其工作原理、主要特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域,可以更好地在實(shí)際工程中發(fā)揮其優(yōu)勢(shì),為各種電子設(shè)備提供可靠的功率控制和信號(hào)放大解決方案。

責(zé)任編輯:David

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