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ONsemi 1N4149開關(guān)二極管中文資料

來源:
2024-06-26
類別:基礎(chǔ)知識
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文章創(chuàng)建人 拍明芯城

ONsemi 1N4149 開關(guān)二極管中文資料

1N4149 是 ON Semiconductor(ONsemi)生產(chǎn)的一款高效開關(guān)二極管,屬于小信號硅二極管家族。除了 1N4149 之外,該系列還包括以下常見型號:

  • 1N4148:這是最常見的型號,性能與 1N4149 類似,但在一些特定參數(shù)上可能有細微差別。

  • 1N4150:與 1N4149 類似,但在反向恢復(fù)時間上有所改進,適用于更高頻率的應(yīng)用。

  • 1N4448:具有更高的反向電壓和更快的開關(guān)速度,適用于更苛刻的條件。

每個型號在具體參數(shù)上會有一些差異,但它們都具有相似的特性和應(yīng)用領(lǐng)域,適用于高速開關(guān)、脈沖整形和混合信號處理等場合。

1N4149圖片

廠商名稱:ONsemi

元件分類:開關(guān)二極管

中文描述: 小信號二極管,單,100 V,500 mA,1 V,4 ns,4 A

英文描述: Small Signal Diode

數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k02-36824652-1N4149.html

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1N4149概述

1N4149是一款2引腳高電導(dǎo)快速小信號二極管,可提供最佳質(zhì)量組合。它針對節(jié)能設(shè)計進行了優(yōu)化,并提供高反向電壓(200V)。該產(chǎn)品是一般用途,適用于許多不同的應(yīng)用。

500mW功耗

175°C工作結(jié)溫

1N4149中文參數(shù)

制造商:onsemi

產(chǎn)品種類:二極管-通用,功率,開關(guān)

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝/箱體:DO-35

峰值反向電壓:100 V

最大浪涌電流:4 A

If-正向電流:500 mA

配置:Single

恢復(fù)時間:4 ns

Vf-正向電壓:1 V

Ir-反向電流:0.025 uA

最小工作溫度:-65 C

最大工作溫度:+175 C

系列:1N4149

封裝:Bulk

商標:onsemi/Fairchild

高度:1.91 mm

長度:4.56 mm

1N4149引腳圖

image.png

工作原理

1N4149 開關(guān)二極管的工作原理與普通二極管類似,主要利用其在正向偏置時導(dǎo)通、反向偏置時截止的特性進行開關(guān)控制。其工作過程如下:

  1. 正向偏置:當二極管的正極(陽極)電壓高于負極(陰極)電壓時,PN 結(jié)內(nèi)的勢壘電壓被克服,電子從 N 型區(qū)流向 P 型區(qū),形成電流。此時,二極管導(dǎo)通,電阻很小,電流通過。

  2. 反向偏置:當二極管的正極電壓低于負極電壓時,PN 結(jié)的勢壘電壓增加,電子難以越過結(jié)區(qū),二極管截止,幾乎沒有電流通過。

  3. 反向恢復(fù)時間:當二極管從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止狀態(tài)時,存在一個過渡時間,這段時間內(nèi)少數(shù)載流子會從結(jié)區(qū)流過,稱為反向恢復(fù)時間。1N4149 的反向恢復(fù)時間很短,使其能夠快速響應(yīng)高頻信號。

特點

1N4149 具有以下幾個顯著特點:

  1. 高速度:由于其短反向恢復(fù)時間(通常在4ns左右),1N4149 非常適合高速開關(guān)應(yīng)用。高頻響應(yīng)使其能夠在數(shù)百兆赫茲(MHz)的頻率范圍內(nèi)工作。

  2. 低功耗:其正向電壓降通常在0.7V左右,正向電流在數(shù)毫安(mA)到數(shù)十毫安之間,能夠高效工作而不產(chǎn)生過多熱量。

  3. 高可靠性:1N4149 采用硅材料,具有較高的穩(wěn)定性和可靠性,能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)工作,耐用性強。

  4. 小型封裝:通常采用玻璃封裝或塑料封裝,體積小,適合于各種高密度電子電路設(shè)計。

應(yīng)用

由于其優(yōu)異的性能,1N4149 被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:

  1. 開關(guān)電路:作為高效開關(guān)二極管,1N4149 常用于高速開關(guān)電路中,如脈沖和時鐘電路。

  2. 脈沖整形:能夠快速響應(yīng)輸入信號,1N4149 用于脈沖整形電路中,確保輸出信號的波形精確。

  3. 混合信號處理:在模擬和數(shù)字信號混合電路中,1N4149 用于信號選擇和隔離。

  4. 保護電路:作為保護元件,1N4149 可用于防止過壓和反向電壓對敏感電路的損害。

  5. 振蕩電路:在高頻振蕩電路中,1N4149 的高速響應(yīng)特性使其能夠穩(wěn)定工作。

參數(shù)

了解 1N4149 的關(guān)鍵參數(shù)對于其應(yīng)用和選型至關(guān)重要。以下是該二極管的一些主要參數(shù):

  1. 最大正向電流 (IF):300mA。這個參數(shù)表示二極管在正向偏置下的最大允許電流。

  2. 反向電壓 (VR):100V。這個參數(shù)表示二極管在反向偏置下能夠承受的最大電壓。

  3. 反向恢復(fù)時間 (trr):4ns。表示二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到截止狀態(tài)的過渡時間。

  4. 正向電壓降 (VF):0.7V@10mA。表示二極管在正向電流為10mA時的電壓降。

  5. 功耗 (PD):500mW。表示二極管能夠承受的最大功耗。

  6. 結(jié)溫 (Tj):-65°C至+200°C。表示二極管能夠正常工作的溫度范圍。

詳細參數(shù)表

參數(shù)數(shù)值
最大正向電流 (IF)300mA
反向電壓 (VR)100V
反向恢復(fù)時間 (trr)4ns
正向電壓降 (VF)0.7V @ 10mA
功耗 (PD)500mW
結(jié)溫 (Tj)-65°C 至 +200°C

電氣特性圖

1N4149 的電氣特性圖包括其電流-電壓特性曲線(I-V 曲線)和反向恢復(fù)時間特性。以下是一些典型的特性圖描述:

  1. I-V 特性曲線:在正向偏置時,隨著電壓增加,電流迅速增加;在反向偏置時,電流極小,表現(xiàn)為截止狀態(tài)。

  2. 反向恢復(fù)時間圖:顯示二極管從導(dǎo)通到截止的過渡過程,反映其高速開關(guān)能力。

熱特性

1N4149 的熱特性主要涉及其工作溫度范圍和功耗能力。在高溫環(huán)境下,二極管的性能可能會有所下降,因此需要注意其散熱設(shè)計。

封裝形式

1N4149 通常采用玻璃封裝或塑料封裝。玻璃封裝具有更好的密封性和耐環(huán)境性,而塑料封裝則更加經(jīng)濟實惠。常見的封裝形式包括:

  • DO-35:一種典型的軸向引線封裝形式,適用于通過孔安裝。

  • SMD 封裝:表面貼裝封裝形式,如 SOD-123 和 SOD-323,更適合于高密度電路設(shè)計。

可靠性與壽命

1N4149 作為高可靠性的電子元件,具有較長的使用壽命。其可靠性主要取決于工作環(huán)境和使用條件。為了延長使用壽命,應(yīng)注意以下幾點:

  1. 避免過載:確保工作電流和電壓在額定范圍內(nèi),避免過載使用。

  2. 良好的散熱設(shè)計:確保二極管周圍有良好的散熱條件,防止過熱。

  3. 環(huán)境保護:在高濕度或腐蝕性環(huán)境中使用時,應(yīng)采取適當?shù)谋Wo措施。

應(yīng)用案例

以下是 1N4149 在實際應(yīng)用中的一些具體案例:

  1. 開關(guān)電源:在開關(guān)電源中,1N4149 用于高速整流和信號調(diào)節(jié),保證電源的穩(wěn)定輸出。

  2. 信號放大器:在高頻信號放大器中,1N4149 用于信號整形和隔離,提高放大器的性能。

  3. 通訊設(shè)備:在無線通訊設(shè)備中,1N4149 用于信號調(diào)制和解調(diào),確保信號的準確傳輸。

  4. 數(shù)字電路:在數(shù)字電路中,1N4149 用于邏輯電平轉(zhuǎn)換和信號隔離,防止干擾和錯誤傳輸。

綜上所述,ONsemi 1N4149 開關(guān)二極管作為一種高效、可靠的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種高頻、高速電路中。其優(yōu)異的性能和多樣的應(yīng)用場景,使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計中的重要組件。

責(zé)任編輯:David

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