意法半導(dǎo)體LM211DT模擬比較器中文資料


意法半導(dǎo)體 LM211DT 模擬比較器
LM211DT 是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的高性能模擬比較器。它屬于 LM211 系列,系列中還有 LM211、LM211D 和 LM211DR 等型號。每個(gè)型號之間的主要差異在于封裝形式和溫度范圍。LM211DT 是雙列直插式封裝(DIP)類型,適用于各種應(yīng)用場合。
LM211 系列中的其它型號,如 LM211D 和 LM211DR,分別對應(yīng)于不同的封裝形式和特性。LM211 是基本型號,適用于通用比較應(yīng)用,LM211D 和 LM211DR 則提供了更高的集成度和不同的工作溫度范圍。用戶可根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的型號,以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
中文描述: 模擬比較器,軌至軌,電壓,1個(gè)比較器,200 ns,5V至±15V,SOIC,8引腳
英文描述: Comparator Single±15V/30V 8-Pin SO N T/R
數(shù)據(jù)手冊:http://syqqgy.com/data/k01-309950-LM211DT.html
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LM211DT中文參數(shù)
比較器類型 | 通用 | 尺寸 | 5 x 4 x 1.65mm |
安裝類型 | 表面貼裝 | 長度 | 5mm |
封裝類型 | SOIC | 寬度 | 4mm |
電源類型 | 雙,單 | 高度 | 1.65mm |
輸出類型 | TTL | 典型電壓增益 | 200 V/mV |
每片芯片通道數(shù)目 | 1 | 最高工作溫度 | +105 °C |
典型響應(yīng)時(shí)間 | 200ns | 最低工作溫度 | -40 °C |
引腳數(shù)目 | 8 | 典型雙電源電壓 | ±15V |
典型單電源電壓 | 5 V |
LM211DT概述
LM211DT是一款電壓比較器,具有低輸入電流和選通脈沖。它還被設(shè)計(jì)為可以在很寬的電源電壓范圍內(nèi)工作,從標(biāo)準(zhǔn)±15V運(yùn)算放大器電源到用于IC邏輯的5V單電源。它的輸出與RTL-DTL和TTL以及MOS電路兼容,并且可以在高達(dá)50mA的輸出電流下切換高達(dá)50V的電壓。
±30V差分輸入電壓范圍
±15V功耗時(shí)為135mW
150nA最大輸入電流
20nA最大失調(diào)電流
應(yīng)用
自動化與過程控制,傳感與儀器
工作原理
LM211DT 模擬比較器的工作原理基于比較兩個(gè)輸入電壓信號的大小,并在輸出端產(chǎn)生相應(yīng)的電壓信號。具體來說,LM211DT 內(nèi)部包含一個(gè)高增益的差動放大器,具有兩個(gè)輸入端:同相輸入端(V+)和反相輸入端(V-)。當(dāng)同相輸入電壓(V+)高于反相輸入電壓(V-)時(shí),輸出端輸出高電平;反之,當(dāng)同相輸入電壓(V+)低于反相輸入電壓(V-)時(shí),輸出端輸出低電平。
該比較器具有單電源和雙電源工作模式,單電源時(shí)的工作電壓范圍為 3V 至 32V,雙電源時(shí)的工作電壓范圍為 ±1.5V 至 ±16V。內(nèi)部設(shè)計(jì)包括一個(gè)電流鏡結(jié)構(gòu),確保輸出級的快速響應(yīng)和高驅(qū)動能力,適合處理高速信號。
LM211DT 還具備良好的輸入失調(diào)電壓特性,使其在低電平信號比較中保持高精度。此外,輸入失調(diào)電流和偏置電流都非常低,進(jìn)一步提高了比較器的精度和穩(wěn)定性。
特點(diǎn)
LM211DT 模擬比較器具有以下主要特點(diǎn):
高速響應(yīng):LM211DT 的響應(yīng)時(shí)間非常短,典型值為 200ns,適用于需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場合。
低輸入失調(diào)電壓:典型值為 2mV,確保在低電平信號下也能保持高精度。
寬電源電壓范圍:支持 3V 至 32V 的單電源工作模式,或者 ±1.5V 至 ±16V 的雙電源工作模式,適應(yīng)各種應(yīng)用需求。
低功耗:典型工作電流為 1.1mA,有效降低系統(tǒng)功耗。
高共模抑制比(CMRR):共模抑制比典型值為 85dB,確保在存在共模信號干擾時(shí)仍能穩(wěn)定工作。
寬溫度范圍:工作溫度范圍為 -40°C 至 85°C,適合在嚴(yán)苛環(huán)境中使用。
應(yīng)用
LM211DT 的多種特點(diǎn)使其在廣泛的應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色,具體應(yīng)用包括但不限于:
電壓比較器:用于對兩個(gè)電壓信號進(jìn)行比較,如零交越檢測和電壓窗口檢測。
信號整形和波形發(fā)生器:用于將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,如在脈沖寬度調(diào)制(PWM)電路中使用。
過壓和欠壓保護(hù)電路:監(jiān)測電源電壓,當(dāng)電壓超出設(shè)定范圍時(shí),產(chǎn)生警報(bào)或保護(hù)信號。
振蕩器和定時(shí)電路:與外部元件配合,用于產(chǎn)生精確的時(shí)間間隔和振蕩頻率。
電平檢測和電平轉(zhuǎn)換:用于檢測特定電平信號并觸發(fā)后續(xù)電路動作。
工業(yè)自動化:用于傳感器信號處理和控制系統(tǒng),確保系統(tǒng)的準(zhǔn)確性和響應(yīng)速度。
參數(shù)
LM211DT 的關(guān)鍵參數(shù)如下:
輸入失調(diào)電壓(V_OS):最大值 7mV,典型值 2mV。
輸入失調(diào)電流(I_OS):最大值 50nA,典型值 20nA。
輸入偏置電流(I_B):最大值 250nA,典型值 100nA。
響應(yīng)時(shí)間(t_RESP):典型值 200ns。
電源電流(I_CC):典型值 1.1mA。
共模抑制比(CMRR):典型值 85dB。
電源電壓范圍(V_CC):單電源 3V 至 32V,雙電源 ±1.5V 至 ±16V。
工作溫度范圍(T_A):-40°C 至 85°C。
總結(jié)
意法半導(dǎo)體的 LM211DT 模擬比較器是一款性能優(yōu)越、適用范圍廣泛的電子元件。其高速響應(yīng)、低輸入失調(diào)電壓和寬電源電壓范圍使其在各類應(yīng)用中都能表現(xiàn)出色,特別適用于需要快速、精確信號比較的場合。通過選擇合適的型號和封裝形式,用戶可以在不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最佳性能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
責(zé)任編輯:David
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