安森美 BSS84 MOS管

安森美（ON Semiconductor）的BSS84是一種N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有低阻抗和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹BSS84 MOS管的型號(hào)類(lèi)型、工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用及其主要參數(shù)。

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET，P溝道，50 V，130 mA，1.2 ohm，SOT-23，表面安裝

英文描述： Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R

BSS84中文參數(shù)

BSS84概述

Fairchild公司的BSS84為P溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，SOT-23封裝.這一產(chǎn)品設(shè)計(jì)以最小化通導(dǎo)電阻，同時(shí)提供堅(jiān)固耐用，可靠并高速的開(kāi)關(guān)性能，因此BSS84適合低電壓，低電流和開(kāi)關(guān)應(yīng)用.

電壓控制P通道小信號(hào)開(kāi)關(guān)

高密電池設(shè)計(jì)，用于極低RDS(ON)

高飽和電流

漏極至源極電壓(Vds):-50V

柵源電壓:±20V

Vgs 10V，低通導(dǎo)電阻:3.5ohm

持續(xù)漏電流:-130mA

最大功率耗散:360mW

工作結(jié)溫范圍:-55°C至150°C

應(yīng)用

電源管理，工業(yè)，便攜式器材，消費(fèi)電子產(chǎn)品

類(lèi)型

安森美BSS84 MOS管主要包括以下幾種型號(hào)：

• BSS84：標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)。

• BSS84-7：帶ESD保護(hù)的型號(hào)。

• BSS84DW1T1G：SOT-363封裝，帶排放端保護(hù)的型號(hào)。

• BSS84W：帶ESD保護(hù)的型號(hào)，適用于靜電敏感應(yīng)用。

這些型號(hào)的選擇取決于具體的應(yīng)用需求，如電流和電壓容忍度、ESD（靜電放電）保護(hù)等。

工作原理

BSS84 MOS管的工作原理基于MOSFET的基本原理，其主要包括以下幾個(gè)步驟：

1. 控制信號(hào)輸入：通過(guò)MOS管的柵極（Gate）輸入控制信號(hào)。

2. 電場(chǎng)調(diào)控：控制信號(hào)作用于柵極，產(chǎn)生電場(chǎng)，調(diào)控了柵極和源極之間的電荷分布。

3. 溝道形成：當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，形成N溝道，使得源極和漏極之間形成導(dǎo)電通路。

4. 電流流動(dòng)：當(dāng)溝道形成后，根據(jù)柵極和源極之間的電壓差，電流開(kāi)始從源極流向漏極，控制了MOS管的導(dǎo)通狀態(tài)。

通過(guò)調(diào)控柵極電壓，可以控制BSS84 MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的開(kāi)關(guān)控制。

特點(diǎn)

安森美BSS84 MOS管具有以下顯著特點(diǎn)：

1. 低阻抗：具有低導(dǎo)通電阻，能夠?qū)崿F(xiàn)較小的導(dǎo)通損耗。

2. 高開(kāi)關(guān)速度：響應(yīng)速度快，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)操作。

3. 低門(mén)槽電壓：具有低的門(mén)槽電壓，適用于低電壓驅(qū)動(dòng)電路。

4. ESD保護(hù)：部分型號(hào)帶有ESD保護(hù)，提高了器件的抗靜電能力，增強(qiáng)了器件的穩(wěn)定性和可靠性。

5. 小型封裝：采用小型封裝設(shè)計(jì)，體積小巧，適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)合。

6. 高溫特性：能夠在較高溫度下工作，適用于高溫環(huán)境的應(yīng)用。

這些特點(diǎn)使得BSS84 MOS管在各種低壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。

應(yīng)用

BSS84 MOS管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 電源管理：用于電源開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理電路。

2. 模擬開(kāi)關(guān)：用于模擬開(kāi)關(guān)、信號(hào)開(kāi)關(guān)和模擬多路選擇器等電路。

3. 電流控制：用于電流控制、電流調(diào)節(jié)和電流限制等電路。

4. 低壓開(kāi)關(guān)：用于低壓開(kāi)關(guān)和低功耗應(yīng)用，如便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品等。

5. 靜電敏感應(yīng)用：部分型號(hào)帶有ESD保護(hù)，適用于對(duì)靜電敏感的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

以下是BSS84 MOS管的主要參數(shù)：

• 漏極-源極電壓（V_DS）：通常為20V至100V。

• 柵極-源極電壓（V_GS）：通常為±20V。

• 漏極電流（I_D）：通常為幾十毫安至幾安。

• 漏極-源極電阻（R_DS(on)）：通常為幾歐姆至幾十歐姆。

• 工作溫度范圍：通常為-55°C至+150°C。

這些參數(shù)可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求進(jìn)行選擇和配置，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的需求。

安森美BSS84 MOS管具有低阻抗、高開(kāi)關(guān)速度和ESD保護(hù)等特點(diǎn)，適用于各種低壓開(kāi)關(guān)和靜電敏感應(yīng)用。無(wú)論是電源管理、模擬開(kāi)關(guān)，還是電流控制和低壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用，BSS84 MOS管都能夠提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作效果。