安森美2N7000 MOS管中文資料

安森美2N7000是一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），主要用于開(kāi)關(guān)和放大電路。2N7000屬于低功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，尤其適合在電壓控制的開(kāi)關(guān)和模擬信號(hào)放大應(yīng)用中。2N7000的封裝形式主要為TO-92，但在某些情況下也可能采用SOT-23封裝。其主要特點(diǎn)是具有較低的導(dǎo)通電阻（R_DS(on)），開(kāi)關(guān)速度快，驅(qū)動(dòng)電壓低，適用于各種低電壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

除了2N7000外，安森美還生產(chǎn)其他型號(hào)的MOSFET，如N溝道增強(qiáng)型MOSFET 2N7002，其主要參數(shù)與2N7000相似，但通常采用SOT-23封裝，更適合表面貼裝技術(shù)（SMT）的應(yīng)用。

中文描述： 功率場(chǎng)效應(yīng)管，MOSFET，N溝道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-92，通孔

英文描述： Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag

2N7000中文參數(shù)

2N7000概述

2N7000是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種非常高密度的工藝旨在最大限度地減少導(dǎo)通電阻，同時(shí)提供堅(jiān)固、可靠和快速的開(kāi)關(guān)性能。它可用于需要高達(dá)400mA DC的大多數(shù)應(yīng)用，并可提供高達(dá)2A的脈沖電流。它還適用于低電壓、低電流應(yīng)用，例如小型伺服電機(jī)控制、功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器和其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

壓控小信號(hào)開(kāi)關(guān)

堅(jiān)固可靠

工作原理

2N7000 MOSFET的工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本操作原理。MOSFET通過(guò)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，當(dāng)柵極-源極電壓（V_GS）大于閾值電壓（V_th）時(shí)，溝道被“增強(qiáng)”，即溝道中的電子密度增加，從而允許電流從漏極流向源極。

具體工作原理如下：

1. 截止區(qū)（V_GS < V_th）： 當(dāng)柵極-源極電壓小于閾值電壓時(shí)，MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)，漏極和源極之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，漏極電流接近為零。

2. 線性區(qū)（V_GS > V_th 且 V_DS < (V_GS - V_th)）： 當(dāng)柵極-源極電壓大于閾值電壓，并且漏源電壓（V_DS）小于柵極-源極電壓與閾值電壓之差時(shí)，MOSFET工作在線性區(qū)，漏極電流與V_DS成線性關(guān)系。

3. 飽和區(qū)（V_GS > V_th 且 V_DS ≥ (V_GS - V_th)）： 當(dāng)柵極-源極電壓大于閾值電壓，且漏源電壓大于或等于柵極-源極電壓與閾值電壓之差時(shí)，MOSFET工作在飽和區(qū)，此時(shí)漏極電流主要由柵極電壓控制，與V_DS變化關(guān)系不大。

特點(diǎn)

2N7000 MOSFET具備以下幾個(gè)主要特點(diǎn)：

1. 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）： 2N7000在開(kāi)啟狀態(tài)下，漏源間的導(dǎo)通電阻較低，通常在幾歐姆范圍內(nèi)。低導(dǎo)通電阻有助于減少功耗，提高電路效率。

2. 快速開(kāi)關(guān)速度： 2N7000的開(kāi)關(guān)速度快，能夠在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)從導(dǎo)通到截止或從截止到導(dǎo)通的狀態(tài)轉(zhuǎn)換，適用于高頻應(yīng)用。

3. 低柵極驅(qū)動(dòng)電壓： 2N7000的柵極驅(qū)動(dòng)電壓較低，通常在1-2V左右即可開(kāi)啟，適合低電壓邏輯電路的驅(qū)動(dòng)要求。

4. 耐壓高： 2N7000的最大漏源電壓（V_DS）可達(dá)60V，能夠在較高電壓環(huán)境下工作。

5. 封裝小巧： TO-92和SOT-23封裝使得2N7000適合用于空間受限的應(yīng)用中，便于設(shè)計(jì)緊湊的電路板布局。

應(yīng)用

2N7000 MOSFET廣泛應(yīng)用于各種電子電路中，以下是一些典型應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 開(kāi)關(guān)電路： 利用其快速開(kāi)關(guān)特性，2N7000常用于數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)控制，如LED驅(qū)動(dòng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器控制等。

2. 放大電路： 由于其良好的線性特性，2N7000適用于小信號(hào)放大電路，如音頻放大器、射頻放大器等。

3. 電源管理： 2N7000常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓電源等電源管理電路中，用于開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)和電壓轉(zhuǎn)換。

4. 邏輯電平轉(zhuǎn)換： 在混合電壓系統(tǒng)中，2N7000可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)不同電壓邏輯電平之間的轉(zhuǎn)換。

5. 保護(hù)電路： 2N7000可以用于過(guò)壓保護(hù)和過(guò)流保護(hù)電路中，通過(guò)快速切斷電路來(lái)保護(hù)敏感元件。

參數(shù)

以下是2N7000 MOSFET的一些關(guān)鍵參數(shù)：

• 漏源電壓（V_DS）： 最大60V

• 柵源電壓（V_GS）： ±20V

• 連續(xù)漏極電流（I_D）： 最大200mA（TA = 25°C）

• 脈沖漏極電流（I_DM）： 最大500mA

• 導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）： 最大5Ω（V_GS = 10V，I_D = 500mA）

• 閾值電壓（V_th）： 1V至3V

• 漏極-源極電容（C_DG）： 8pF（典型值）

• 源極-柵極電容（C_GS）： 20pF（典型值）

• 切換時(shí)間：

• 上升時(shí)間（t_r）：20ns（典型值）

• 下降時(shí)間（t_f）：20ns（典型值）

• 功耗（P_D）： 最大350mW（TA = 25°C）

結(jié)束語(yǔ)

總的來(lái)說(shuō)，安森美2N7000 MOS管以其高效、可靠和多功能的特點(diǎn)，成為了各種電子電路中不可或缺的元件之一。無(wú)論是在開(kāi)關(guān)電路、放大電路、電源管理還是保護(hù)電路中，2N7000都能發(fā)揮其出色的性能，滿足不同應(yīng)用的需求。通過(guò)了解其工作原理、主要特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域，可以更好地在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的電路功能。