碳化硅二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD），是以碳化硅（SiC）為原材料制作的二極管。這種二極管具有許多顯著的特點和優(yōu)勢，例如低損耗、高抗壓、高效率、高溫穩(wěn)定性好等。

碳化硅二極管具有較短的恢復時間，且溫度對電源開關行為的影響較小，其規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃。與硅元器件相比，碳化硅二極管可以大幅度降低開關損耗并完成非凡的能耗等級。碳化硅二極管還具有極快的電源開關速率且無反向恢復電流量，這使得它在高頻、高溫、高功率應用中具有更好的性能。

碳化硅二極管的應用領域非常廣泛，包括太陽能逆變器、新能源汽車充電器、電力電子領域、無線通訊設備、航空航天領域、軌道交通系統(tǒng)、工業(yè)自動化和電機驅動等。在這些領域中，碳化硅二極管都能夠發(fā)揮其獨特的優(yōu)勢，提高系統(tǒng)效率和性能。

此外，碳化硅二極管還有不同的封裝形式，包括貼片封裝和插件封裝，如DFN5×6、DFN8×8、TO-252-2L、TO-263-2L、TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3等，以滿足不同應用的需求。