產(chǎn)品分類
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet的介紹、特性、及應(yīng)用
7
拍明芯城
onsemi NVMFS024N06C單n溝道功率mosfet具有緊湊的設(shè)計(jì)，占地面積小，為5mm x 6mm。onsemi NVMFS024N06C mosfet是空間高效應(yīng)用的理想選擇，具有低R(DS(on))。mosfet最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，確保高效的電源管理。此外，低QG和電容有助于最大限度地減少驅(qū)動器損耗。
特性
低QG和電容
低R (DS(上))
占地面積小(5mm x 6mm)
通過AEC-Q101認(rèn)證，具備PPAP能力
不含鉛，不含鹵素/ bfr，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用程序
電動工具
電池驅(qū)動的真空吸塵器
無人機(jī)/無人駕駛飛機(jī)
材料處理
BMS /存儲
家庭自動化。
應(yīng)用電路圖
責(zé)任編輯：David
【免責(zé)聲明】
1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料，版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議，請聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com），本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用，不涉及商業(yè)目的。
3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點(diǎn)，拍明芯城不對內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為，是基于自主意愿和獨(dú)立判斷做出的，請讀者明確相關(guān)結(jié)果。
4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章，請聯(lián)系拍明芯城（marketing@iczoom.com）注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。
相關(guān)資訊
：
芯片lm2596s開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝
28nm光刻機(jī)卡住“02專項(xiàng)”——對于督工部分觀點(diǎn)的批判（睡前消息353期）
2023手機(jī)傳感器排行榜,imx傳感器天梯圖排行榜2023
lt1083典型應(yīng)用電路分析 LT1083構(gòu)建7.5A穩(wěn)壓器
接近開關(guān)信號正常，可PLC就是沒輸入！
齊納二極管怎么使用
2012- 2022 拍明芯城ICZOOM.com 版權(quán)所有 客服熱線：400-693-8369 (9:00-18:00)
