MAX1358數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和溫度系統(tǒng)指南


MAX1358數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可以使用內(nèi)部或外部晶體管PN結(jié)測量溫度。圖1顯示了內(nèi)部溫度電路和外部電路。電流源提供恒定電流,在晶體管上產(chǎn)生電壓(V(BE))。電流源可編程產(chǎn)生多達四種電流。對于每個電流,通過晶體管的電壓降是用集成的ADC測量的。ADC具有TEMP+、TEMP-、AIN1、AIN2和AGND輸入。這些測量值用在一個方程中來確定結(jié)溫。
圖1所示、MAX1358內(nèi)部/外部溫度測量電路
內(nèi)部四電流法
內(nèi)部四電流法需要在溫度測量方程中使用8個測量值。下面的公式1用于四電流測量。
方程1。四電流溫度測量方程。
將I(1)、I(2)、I(3)、I(4)代入分母:
地點:
T(MEAS) =開爾文溫度
Q =電子電荷= 1.60219 × 10(-19)庫侖
NV(BE1) =以I(1)為電流源的ADC re
NV(BE2) =以I(2)為電流源的ADC re
NV(BE3) =以I(3)為電流源的ADC re
NV(BE4) =以I(4)為電流源的ADC re
V(REF) = ADC參考電壓= 1.251V (typp)
N =二極管理想度= 1.000(類型)
k =波爾茲曼常數(shù)= 1.3807 × 10(-23)焦耳/開爾文
I(1) =電流源低整定值(4μA)
I(2) =電流源高整定值(60μA)
I(3) =電流源高整定值(64μA)
I(4) =電流源高整定值(120μA)
NV(R1) =以I(1)為電流源的ADC re
NV(R2) =以I(2)為電流源的ADC re
NV(R3) =以I(3)為電流源的ADC re
NV(R4) =以I(4)為電流源的ADC re
2(16) = MAX1358 16位ADC的ADC步數(shù)
要將測量的開爾文溫度轉(zhuǎn)換為攝氏度,使用以下公式:
°c = k - 273.15
操作步驟使用內(nèi)部晶體管
測量內(nèi)部晶體管和內(nèi)部電阻兩端電壓的過程施加來自電流源的電流,并測量產(chǎn)生的V(BE)和V(R)。
步驟1。啟用Reference和ADC
通過在REF_SDC寄存器中設(shè)置REFV[1:0]位為0x01,使能內(nèi)部1.251V參考和增益為1.0的參考緩沖區(qū)。
通過在ADC寄存器中設(shè)置ADCE位來啟用ADC。啟用內(nèi)部參考和ADC。注:ADC的默認參數(shù)為單極、正極性、單次轉(zhuǎn)換、內(nèi)部基準、單位增益、每秒10個采樣、正轉(zhuǎn)換。
步驟2。校正ADC
通過將ADC寄存器中的mode[2:0]位設(shè)置為0x07,將ADC轉(zhuǎn)換模式設(shè)置為自偏移和增益校準。通過在ADC寄存器中設(shè)置STRT位啟動ADC轉(zhuǎn)換?,F(xiàn)在對ADC進行校準。ADC寄存器中的Mode[2:0]位被自動清除。這將使ADC恢復(fù)正常操作。
步驟3。設(shè)置內(nèi)部溫度傳感器電流源
通過將TEMP_CTRL寄存器中的IMUX[1:0]位設(shè)置為0x01來設(shè)置內(nèi)部溫度傳感器的電流源。
步驟4。設(shè)置I(1)電流源(4μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x00來設(shè)置I(1)的電流源。
第5步。將ADC輸入的TEMP+設(shè)置為TEMP-
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x07來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器為TEMP+。通過在MUX寄存器中設(shè)置MUXN[3:0]為0x00,為TEMP設(shè)置ADC負復(fù)用器。
步驟6。使用ADC測量V(BE1)
V(BE1)電壓測量從TEMP+到TEMP-輸入到ADC。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE1)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE1),以供以后計算。
步驟7。設(shè)置ADC輸入V(R1)
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置ADC負復(fù)用器的TEMP-(與步驟5相同)。為了測量相對于AGND的TEMP-輸入,使用極性翻轉(zhuǎn)位。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為TEMP-作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
步驟8。使用ADC測量V(R1)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值,并將其保存為16位整數(shù)V(R1),以供以后計算。
第9步。設(shè)置I(2)電流源(60μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x01來設(shè)置I(2)的電流源。
第10步。將ADC輸入的TEMP+設(shè)置為TEMP-
通過清除ADC寄存器中的POL位,將極性翻轉(zhuǎn)器恢復(fù)正常。通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x07來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器為TEMP+。通過在MUX寄存器中設(shè)置MUXN[3:0]為0x00,為TEMP設(shè)置ADC負復(fù)用器。
步驟11。使用ADC測量V(BE2)
V(BE2)電壓測量從TEMP+到TEMP-輸入到ADC。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE2)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE2),以供以后計算。
步驟12。設(shè)置V(R2)的ADC輸入
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置ADC負復(fù)用器的TEMP-(與步驟5相同)。為了測量相對于AGND的TEMP-輸入,使用極性翻轉(zhuǎn)位。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為TEMP-作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
步驟13。使用ADC測量V(R2)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值,并將其保存為16位整數(shù)V(R2),以供以后計算。
步驟14。設(shè)置I(3)電流源(64μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x10來設(shè)置I(3)的電流源。
步驟15。將ADC輸入的TEMP+設(shè)置為TEMP-
通過清除ADC寄存器中的POL位,將極性翻轉(zhuǎn)器恢復(fù)正常。通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x07來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器為TEMP+。通過在MUX寄存器中設(shè)置MUXN[3:0]為0x00,為TEMP設(shè)置ADC負復(fù)用器。
步驟16。使用ADC測量V(BE3)
V(BE3)電壓測量從TEMP+到TEMP-輸入到ADC。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE3)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE3),以供以后計算。
步驟17。設(shè)置V(R3)的ADC輸入
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置ADC負復(fù)用器的TEMP-(與步驟5相同)。為了測量相對于AGND的TEMP-輸入,使用極性翻轉(zhuǎn)位。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為TEMP-作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
18步。使用ADC測量V(R3)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(R3),以供以后計算。
步驟19。設(shè)置I(4)電流源(120μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x11來設(shè)置I(4)的電流源。
20步。將ADC輸入的TEMP+設(shè)置為TEMP-
通過清除ADC寄存器中的POL位,將極性翻轉(zhuǎn)器恢復(fù)正常。通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x07來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器為TEMP+。通過在MUX寄存器中設(shè)置MUXN[3:0]為0x00,為TEMP設(shè)置ADC負復(fù)用器。
步驟21。使用ADC測量V(BE4)
V(BE4)電壓測量從TEMP+到TEMP-輸入到ADC。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE4)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE4),以供以后計算。
一步22。設(shè)置ADC輸入為V(R4)
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置ADC負復(fù)用器的TEMP-(與步驟5相同)。為了測量相對于AGND的TEMP-輸入,使用極性翻轉(zhuǎn)位。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為TEMP-作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
23步。使用ADC測量V(R4)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(R4),以供以后計算。
24步。計算溫度
溫度的計算公式如式1所示。這個方程可以通過事先把常數(shù)乘除來化簡。將該常數(shù)應(yīng)用于如下所示的方程2。
方程2。簡化的四電流溫度測量方程。
使用實際數(shù)據(jù)的四電流方法示例
在室溫下,使用上述程序在評估(EV)試劑盒上測量溫度,結(jié)果如下。
因為我(1)?4μ | NV(BE1) = 0x81AF | NV(R1) = 0x0350 |
因為我(2)?60μ | NV(BE2) = 0x9048 | NV(R2) = 0x32D4 |
因為我(3)?64μ | NV(BE3) = 0x90A5 | NV(R3) = 0x3629 |
因為我(4)?120μ | NV(BE4) = 0x93E2 | NV(R4) = 0x615c |
利用上式2,代入實測值:
求解溫度產(chǎn)率方程:T(MEAS) = 300.19K
將結(jié)果從開爾文轉(zhuǎn)換為攝氏度得到:°C = 300.19 - 273.15 = 27.04°C
這是在室溫下的測量值。沒有對增益和偏置進行校正。下面詳細介紹增益和失調(diào)校正。
外置四電流法
外部四電流法與內(nèi)部四電流法相同,除了必須將內(nèi)部電流源多路復(fù)用器更改為將電流源直接輸出AIN1或AIN2。ADC輸入多路復(fù)用器也必須更改為使用AIN1和AIN2作為ADC輸入。
外部組件的連接如圖1所示。為此應(yīng)用選擇的外部晶體管是安森美半導(dǎo)體(SM),零件號MMBT2N3904LT1。其他晶體管或二極管也可以選擇。所選擇的電阻器是松下 的低成本表面貼裝4.02 2k 1%尺寸0805 1/8瓦,部件號ERJ-6ENF4021V。選擇這個值電阻來匹配內(nèi)部電阻,它通常是4K歐姆。
使用外部晶體管
測量外部晶體管和外部電阻電壓的過程與內(nèi)部四電流方法類似,除了必須選擇電流源來驅(qū)動AIN1或AIN2,并且必須選擇不同的輸入來讀取外部V(be)和V(R)。
步驟1。啟用Reference和ADC
通過在REF_SDC寄存器中設(shè)置REFV[1:0]位為0x01,使能內(nèi)部1.251V參考和增益為1.0的參考緩沖區(qū)。
通過在ADC寄存器中設(shè)置ADCE位來啟用ADC。啟用內(nèi)部參考和ADC。注:ADC的默認參數(shù)為單極、正極性、單次轉(zhuǎn)換、內(nèi)部基準、單位增益、每秒10個采樣、正轉(zhuǎn)換。
步驟2。校正ADC
通過將ADC寄存器中的mode[2:0]位設(shè)置為0x07,將ADC轉(zhuǎn)換模式設(shè)置為自偏移和增益校準。通過在ADC寄存器中設(shè)置STRT位啟動ADC轉(zhuǎn)換?,F(xiàn)在對ADC進行校準。ADC寄存器中的Mode[2:0]位被自動清除。這將使ADC恢復(fù)正常操作。
步驟3。設(shè)置內(nèi)部AIN1的電流源
通過在TEMP_CTRL寄存器中將IMUX[1:0]位設(shè)置為0x10來設(shè)置內(nèi)部溫度傳感器的電流源。
步驟4。設(shè)置I(1)電流源(4μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x00來設(shè)置I(1)的電流源。
第5步。設(shè)置AIN1的ADC輸入為AIN2
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置AIN1的ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。
步驟6。使用ADC測量V(BE1)
測量從AIN1到AIN2輸入到ADC的V(BE1)電壓。ADC已配置,只需要轉(zhuǎn)換以獲得結(jié)果V(BE1)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE1),以供以后計算。
步驟7。設(shè)置ADC輸入V(R1)
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。為了測量相對于AGND的AIN2輸入,極性翻轉(zhuǎn)位被使用。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為AIN2作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
步驟8。使用ADC測量V(R1)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值,并將其保存為16位整數(shù)V(R1),以供以后計算。
第9步。設(shè)置I(2)電流源(60μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x01來設(shè)置I(2)的電流源。
第10步。設(shè)置AIN1的ADC輸入為AIN2
通過清除ADC寄存器中的POL位,將極性翻轉(zhuǎn)器恢復(fù)正常。通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置AIN1的ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。
步驟11。使用ADC測量V(BE2)
測量從AIN1到AIN2輸入到ADC的V(BE2)電壓。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE2)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE2),以供以后計算。
步驟12。設(shè)置V(R2)的ADC輸入
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。為了測量相對于AGND的AIN2輸入,極性翻轉(zhuǎn)位被使用。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為AIN2作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
步驟13。使用ADC測量V(R2)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值,并將其保存為16位整數(shù)V(R2),以供以后計算。
步驟14。設(shè)置I(3)電流源(64μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x10來設(shè)置I(3)的電流源。
步驟15。設(shè)置AIN1的ADC輸入為AIN2
通過清除ADC寄存器中的POL位,將極性翻轉(zhuǎn)器恢復(fù)正常。通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置AIN1的ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。
步驟16。使用ADC測量V(BE3)
測量從AIN1到AIN2輸入到ADC的V(BE3)電壓。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE3)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE3),以供以后計算。
步驟17。設(shè)置V(R3)的ADC輸入
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。為了測量相對于AGND的AIN2輸入,極性翻轉(zhuǎn)位被使用。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為AIN2作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
18步。使用ADC測量V(R3)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(R3),以供以后計算。
步驟19。設(shè)置I(4)電流源(120μA)
通過在TEMP_CTRL寄存器中設(shè)置IVAL[1:0]位為0x11來設(shè)置I(4)的電流源。
20步。將ADC輸入的TEMP+設(shè)置為TEMP-
通過清除ADC寄存器中的POL位,將極性翻轉(zhuǎn)器恢復(fù)正常。通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x00來設(shè)置AIN1的ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。
步驟21。使用ADC測量V(BE4)
從ADC的AIN1到AIN2輸入端測量V(BE4)電壓。ADC已經(jīng)配置好,只需要轉(zhuǎn)換得到結(jié)果V(BE4)電壓。要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(BE4),以供以后計算。
一步22。設(shè)置ADC輸入為V(R4)
通過在MUX寄存器中將MUXP[3:0]設(shè)置為0x09來設(shè)置ADC正輸入多路復(fù)用器。通過在MUX寄存器中將MUXN[3:0]設(shè)置為0x07,設(shè)置ADC負復(fù)用器為AIN2。為了測量相對于AGND的AIN2輸入,極性翻轉(zhuǎn)位被使用。在ADC寄存器中設(shè)置POL位。ADC現(xiàn)在設(shè)置為AIN2作為其正輸入,AGND作為其負輸入。
23步。使用ADC測量V(R4)
要開始ADC轉(zhuǎn)換,在ADC寄存器中設(shè)置STRT位。ADC將進行轉(zhuǎn)換,結(jié)果將在DATA寄存器中。讀取DATA寄存器值并將其保存為16位整數(shù)V(R4),以供以后計算。
24步。計算溫度
溫度計算與四電流內(nèi)部法相同。使用該方法與八個保存的測量值計算外部溫度。
增益和失調(diào)校正
TEMP_CAL寄存器用于校正溫度測量電路中的增益和偏移誤差。為了校正增益和偏移誤差,使用以下公式。
T(ACTUAL) = g(T(MEAS)) + T(OFFSET)
方程3。增益和偏移校正方程。
增益和偏移校正程序
下面詳細介紹了增加增益和偏移校正的過程。該程序從增益和偏移校正寄存器中讀取值。然后用兩個公式計算增益和偏移量。將得到的修正值應(yīng)用于上面的公式3。
步驟1。測量和計算溫度
使用內(nèi)部或外部晶體管的程序,并將結(jié)果保存為T(MEAS),以用于上述校正公式。
步驟2。讀取TGAIN寄存器
讀取TEMP_CAL寄存器并保存上面的字節(jié)TGAIN[7:0],以便在下面的公式中使用。它應(yīng)該保存為帶類型符號的整數(shù)。
步驟3。計算增益校正系數(shù)
使用上面保存的值,將此值應(yīng)用于下面的增益公式。
增益= 0.9025 + TGAIN × 0.000576
方程4。增益公式方程。
步驟4。讀取TOFFS寄存器
讀取TEMP_CAL寄存器并保存低位字節(jié)TOFFS[5:0],以便在下面的公式中使用。數(shù)據(jù)應(yīng)該保存為帶類型符號的整數(shù)。不要右移數(shù)據(jù)。
第5步。計算偏移校正系數(shù)
使用上面保存的偏移值,將該值應(yīng)用于下面的增益公式。
偏移量= -14.0 + TOFFS × 0.3125
方程5。偏移量修正方程。
步驟6。計算校正溫度
在下面的溫度方程中使用上面計算的增益和偏置值。
T(實際)=增益× T(平均值)+偏移量
結(jié)論
MAX1358具有測量內(nèi)部芯片溫度的內(nèi)部電路。內(nèi)部電路也可以與外部晶體管一起用于低成本的遠程溫度傳感器。本應(yīng)用說明中描述的四電流溫度測量方法可用于達到MAX1358數(shù)據(jù)表中規(guī)定的±0.5和±1.0的典型精度。
責任編輯:David
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