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AEC-Q n通道功率mosfet L-TOGL 封裝的介紹、特性、及應(yīng)用

來源:
2023-03-02
類別:基礎(chǔ)知識
eye 44
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

  東芝的40 V n通道功率mosfet XPQR3004PB和XPQ1R004PB通過將高散熱封裝L-TOGL(大型晶體管輪廓鷗翼引線)與U-MOS IX-H芯片工藝相結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了超低導(dǎo)通電阻,高漏極電流額定值和高散熱。

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  L-TOGL封裝在尺寸上與現(xiàn)有的to - 220sm (W)封裝相當(dāng),但是,XPQR3004PB大大提高了電流額定值,并顯著降低了導(dǎo)通電阻至0.23 毫歐 typ。與相同尺寸的to - 220sm (W)封裝相比,L-TOGL優(yōu)化的封裝占地面積還有助于改善熱特性。

  結(jié)合這些特性,東芝的產(chǎn)品提供高電流能力和高散熱,以幫助提高各種汽車應(yīng)用中的功率密度。

  特性

  AEC-Q101合格

  低漏源導(dǎo)通電阻:

  XPQR3004PB R (DS(上))= 0.23歐姆(typ。)(V (g) = 10)

  XPQ1R004PB R (DS(上))= 0.80歐姆(typ。)(V (g) = 10)

  低漏電流:I(DSS) = 10μA (max) (V(DS) = 40 V)

  增強(qiáng)方式:V(th) = 2.0 V ~ 3.0 V(V(DS) = 10 V, I(D) = 1.0 mA)

  應(yīng)用程序

  汽車

  開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器

  電機(jī)驅(qū)動程序

  直流/直流轉(zhuǎn)換器


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: 東芝 XPQR3004PB XPQ1R004PB

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